В конце мая компания Samsung Electronics официально заявила о начале поставок тестовых образцов памяти нового стандарта HBM4E. Этим шагом южнокорейский гигант попытался вырвать инициативу у своего главного конкурента, SK hynix, с которым Samsung пришлось вести непростую борьбу на рынке решений поколения HBM3E. Однако в SK hynix не намерены уступать позиции и уже объявили о намерении ускорить собственный график выпуска образцов HBM4E.
Согласно сведениям из южнокорейских деловых кругов, изначальные планы SK hynix предполагали запуск поставок образцов HBM4E лишь во втором полугодии. Сейчас руководство компании прикладывает все усилия, чтобы перенести этот этап на текущий месяц или, в крайнем случае, на июль. Подобная спешка объясняется спецификой рынка: память типа HBM4E требует глубокой индивидуальной адаптации под технические требования конкретных заказчиков. Чем раньше клиенты получат первые образцы, тем быстрее компания сможет перейти к этапу массового производства.
Ожидается, что основными потребителями памяти HBM4E станут будущие вычислительные ускорители NVIDIA серии Rubin Ultra, выход которых запланирован на следующий год. По предварительным оценкам, на один графический процессор может приходиться до 384 Гбайт памяти HBM4E, что существенно повышает общий спрос на данные чипы.
Технические подходы компаний к производству различаются. SK hynix планирует использовать для кристаллов DRAM передовой техпроцесс 1c, а для базовых кристаллов — 3-нм нормы TSMC. В то же время Samsung Electronics рассчитывает выпускать HBM4E полностью собственными силами, используя 4-нм техпроцесс для базовых кристаллов. При этом обе корпорации намерены предлагать 12-ярусные стеки HBM4E с пропускной способностью от 14 до 16 Гбит/с на один контакт. Общий объем памяти в одном стеке может достигать 48 Гбайт.
