Samsung Electronics планирует приступить к подготовке массового производства оперативной памяти стандарта 1D DRAM уже в первой половине следующего года. Речь идет о чипах с технологическим процессом в диапазоне от 10 до 11 нанометров.
Для сравнения, актуальное шестое поколение DRAM класса 10 нм (1C) производится с применением норм 11–12 нанометров. Переход к 1D DRAM обеспечит заметный прирост производительности и улучшение энергоэффективности компонентов.
На текущий момент Samsung проводит внутренние изыскания, включая выпуск первых опытных образцов 1D DRAM. Ранее в индустрии звучали прогнозы о возможности запуска массового производства уже в текущем году, однако эксперты сочли их излишне оптимистичными. Главным сдерживающим фактором остается недоработанное оборудование, необходимое для выпуска чипов по столь тонкому техпроцессу.
Согласно актуальным данным, Samsung обсуждает с партнерами запуск необходимой производственной линии во втором квартале следующего года. С учетом времени, требуемого на отладку технологических процессов и обеспечение стабильного выхода годной продукции, реальное серийное производство 1D DRAM может быть запущено не раньше конца следующего года.
«Компания Samsung Electronics активно проводит исследования и разработки совместно с ключевыми партнерами для стабилизации выхода годной продукции и производительности 1D DRAM, — отмечает представитель полупроводниковой отрасли. — Хотя график может измениться, цель состоит в том, чтобы запустить оборудование для массового производства во втором или третьем квартале следующего года».
