Рост вычислительных нагрузок и требований к пропускной способности данных в задачах мобильного искусственного интеллекта сделал архитектуру памяти критическим узлом. Традиционные методы, такие как обновление нейронного процессора (NPU) или ускорение флеш-памяти, уже не обеспечивают нужной эффективности. На этом фоне индустрия готовится к внедрению нового стандарта — оперативной памяти с низкой задержкой, получившего название LLW (Low Latency Wide DRAM).
Особенности новой архитектуры
Технология LLW заимствует ключевые принципы архитектуры HBM, однако она адаптирована для установки в компактные корпуса смартфонов. Это позволяет избежать критических проблем с компоновкой и теплоотводом, которые до сих пор препятствовали использованию HBM в мобильных устройствах. Важно отметить, что LLW не является прямой копией HBM — это специализированное решение, направленное на преодоление ограничений пропускной способности и задержек, свойственных классической LPDDR, за счет более плотной и эффективной архитектуры.
Потенциал производительности
Согласно данным отраслевых источников, на которые ссылается бенчмарк AnTuTu, внедрение LLW может принести значительные улучшения в работу мобильных систем. Ожидается, что новая технология позволит:
- Снизить энергопотребление оперативной памяти примерно на 50%.
- Повысить общую производительность системы в 1,5 раза.
Тем не менее, эксперты отмечают, что реальный эффект от внедрения стандарта еще предстоит проверить в рамках тестов реальных коммерческих устройств.
Кто выпустит первые смартфоны с LLW
Ожидается, что первыми компаниями, которые интегрируют оперативную память LLW в свои новые флагманские смартфоны, станут китайские технологические гиганты — Xiaomi и Huawei.
