В последние годы планирование расширения производства для компаний, выпускающих память, было процессом крайне непредсказуемым. Начав масштабную застройку комплекса в Пхёнтхэке несколько лет назад, компания Samsung была вынуждена ограничиться запуском лишь трёх корпусов из шести запланированных. Четвертый объект был введен в эксплуатацию с опозданием, однако к реализации шестого этапа корпорация приступает даже с опережением графика.
Согласно данным южнокорейских СМИ, корпус P5 Fab 2, который станет логическим завершением реализации всего проекта, готовится к началу строительства. На свободной территории рядом с P5 Fab 1 уже замечена спецтехника для забивания свай. Ожидается, что возведение фундамента начнется уже в следующем месяце — на площадке активно разворачивают контейнеры с оборудованием, а геодезические работы уже завершены. Samsung совместно с подрядчиком сформировала команду специалистов для контроля этого этапа.
Под будущий корпус выделен участок размером 661 на 194 метра, что дает общую площадь около 130 000 м². По своим масштабам объект сопоставим с 18 футбольными полями. При стандартной обработке 300-мм кремниевых пластин новый корпус сможет ежемесячно выпускать от 200 до 300 тысяч единиц продукции. Площадка предназначена для производства чипов памяти HBM, DRAM и NAND, а также логических компонентов по заказам сторонних клиентов. Ожидается, что P5 Fab 2 заработает в 2029 году. Несмотря на то что изначально старт работ планировался на первую половину следующего года, фактический график сдвинулся вперед на полгода.
Новое предприятие, как и соседнее P5 Fab 1, получит трехэтажную конструкцию. Строительство первой очереди началось в конце прошлого года, а ввод в строй намечен на 2028 год. Стоимость каждого из двух предприятий оценивается примерно в $39 млрд. Совместная производительность этих объектов составит 600 000 пластин в месяц. Учитывая, что текущие суммарные мощности Samsung по производству DRAM составляют 650 000 пластин ежемесячно, к 2029 году компания фактически удвоит свои возможности в этой сфере.
Параллельно Samsung наращивает объемы на существующих мощностях в Пхёнтхэке. В корпусе P4 идет монтаж линии для выпуска DRAM с использованием 6-го поколения 10-нм техпроцесса (1c) для нужд HBM4, что обеспечит прибавку в 100–200 тысяч пластин в месяц. На китайских предприятиях компания осваивает производство 286-слойной памяти NAND, а завод в техасском Тейлоре готовится к выпуску 2-нм чипов, в частности, для компании Tesla. Также Samsung активно инвестирует в развитие технологий тестирования и упаковки готовых решений.
