Текущий кризис на рынке оперативной и флеш-памяти может быть связан с антиконкурентным сговором крупнейших игроков отрасли. Соответствующий коллективный иск был подан в штате Калифорния 25 июня. Ответчиками по делу выступают компании Samsung, SK Hynix и Micron.
Согласно материалам дела, данные корпорации удерживают совокупную долю в 85–90% мирового рынка микросхем памяти стандартов DRAM и NAND. Истцы полагают, что лидеры индустрии злоупотребили своим доминирующим положением для манипуляции рыночными процессами.
В тексте иска говорится, что компании использовали высокий спрос на память типа HBM, которая необходима для работы современных ИИ-ускорителей, как прикрытие. Якобы Samsung, SK Hynix и Micron намеренно сократили объемы выпуска стандартной памяти DDR, сославшись на необходимость перепрофилирования производственных мощностей под нужды искусственного интеллекта. По мнению заявителей, это привело к дефициту и искусственному завышению цен на чипы памяти.
Стоит напомнить, что подобные обвинения уже звучали в адрес данных производителей в начале 2000-х годов. Тогда Samsung и Hynix признали вину в ценовом сговоре: совокупная сумма штрафов превысила 731 млн долларов, а несколько топ-менеджеров получили тюремные сроки. Micron в тот период удалось избежать наказания, так как компания пошла на сделку со следствием и предоставила информацию о деятельности конкурентов.
