Тег: микроэлектроника
Японский завод TSMC впервые вышел в прибыль
Японское подразделение JASM компании TSMC отчиталось о первой квартальной прибыли в размере $30 млн. Производитель продолжает глобальное расширение в США и Германии.
Российский «Микрон» начал продавать кремниевые пластины с микросхемами. Цена одной —...
Завод «Микрон» выпустил ограниченную серию сувениров из кремниевых пластин с микрочипами. Стоимость арт-объекта составляет 12 500 рублей.
Новые российские спутники создаются с приоритетом достижения полной независимости от иностранных...
Роскосмос переходит к потоковому производству спутников на базе отечественной электроники, стремясь к полному технологическому суверенитету в космической отрасли.
Минпромторг оштрафовал НИИМЭ на 38,8 млн рублей за срыв разработки аналогов...
НИИМЭ оштрафовали за двухлетнюю задержку по контракту на разработку радиационно-стойких чипов памяти, призванных заменить решения Intel, Atmel и Cypress.
TSMC повысила прогноз оборота полупроводниковой отрасли до $1,5 трлн к 2030...
TSMC пересмотрела ожидания по обороту мировой полупроводниковой индустрии. Основным драйвером роста до $1,5 трлн станет сфера ИИ и высокопроизводительных вычислений.
Минпромторг выделил 256 млн на европейский станок для микроэлектроники
Минпромторг закупит для московского НПП «Гамма» высокопроизводительный установщик компонентов Europlacer ATOM 4 для модернизации производства микроэлектроники.
_large.jpg "Завод «Ангстрем» спасают после краха проекта 130-нм чипов")
Завод «Ангстрем» спасают после краха проекта 130-нм чипов
Зеленоградский завод «Ангстрем» с долгами более 200 млрд рублей ждет внешнее управление и масштабная реструктуризация для спасения предприятия.
Звук теперь можно «сфотографировать»: российские ученые сделали важный шаг к 6G
Российские исследователи разработали лазерный метод диагностики слоистых структур, который поможет ускорить создание высокочастотных фильтров для 6G.
Немецкие учёные сделали чип, который может оцифровывать сигналы на рекордной скорости
Исследователи из Университета Падерборна создали SiGe-чип, обеспечивающий скорость обработки свыше 500 Гбит/с на канал и 100 Тбит/с в многоканальном режиме.
Учёные создали сверхмалую память на основе оксида гафния
Исследователи из Японии разработали сегнетоэлектрический туннельный переход диаметром 25 нм, эффективность которого растет при уменьшении габаритов.
