Домой Новости Индустрия и рынок Samsung планирует удвоить мощности производства HBM4 и HBM4E к 2027 году

Samsung планирует удвоить мощности производства HBM4 и HBM4E к 2027 году

Компания Samsung Electronics намерена значительно увеличить выпуск высокоскоростной памяти HBM4 и HBM4E, нарастив объемы производства до 50 000 пластин в месяц к 2027 году.

1
0

На фоне высокого спроса со стороны разработчиков систем искусственного интеллекта компания Samsung Electronics приняла решение существенно расширить производственные мощности для выпуска высокоскоростной памяти следующего поколения. Согласно актуальным планам производителя, объемы выпуска HBM4 и HBM4E должны удвоиться к 2027 году.

Логотип Samsung на фоне производственного оборудования для полупроводников

Масштабирование производственных мощностей

По данным издания SE Daily, в 2026 году ежемесячный выпуск HBM4 и HBM4E составляет около 20 000 кремниевых пластин. К 2027 году этот показатель планируется довести до 50 000 пластин ежемесячно. Оценка данных объемов производства базируется на статистике использования стеклянных носителей — специальных временных панелей, которые применяются для предотвращения деформации и повреждения тонких DRAM-пластин в процессе упаковки. Поскольку для каждой такой пластины требуется один стеклянный носитель, этот показатель выступает надежным индикатором производственной активности.

Общие показатели выпуска HBM, включая решения предыдущих поколений (HBM3 и HBM3E), также демонстрируют уверенный рост. В текущем году средний показатель составляет около 180 000 пластин. В следующем году ожидается увеличение общего объема до 250 000 пластин, при этом 80% мощностей будет сосредоточено именно на актуальных стандартах HBM4 и HBM4E.

Технологический прогресс и рыночные позиции

Samsung приступила к массовому выпуску HBM4 на базе шестого поколения 10-нм техпроцесса (1c) еще в феврале 2026 года, а клиентские образцы HBM4E стали доступны уже к середине того же года. Стратегия компании направлена на удовлетворение растущих потребностей индустрии ИИ-ускорителей, где требуются решения с повышенной плотностью и пропускной способностью. В частности, сообщается, что около половины мощностей 4-нм техпроцесса SF4 компании уже выделено под производство базовых кристаллов для HBM4.

Усилия Samsung по наращиванию выпуска приносят ощутимые плоды в конкурентной борьбе. Доля компании на рынке высокоскоростной памяти показала стремительный рост, увеличившись с 15% во втором квартале 2025 года до 33% во втором квартале 2026 года. Таким образом, за один год Samsung удалось фактически удвоить свое присутствие в сегменте. В условиях притока новых заказчиков и готовящегося расширения производственных мощностей эксперты прогнозируют дальнейшее укрепление рыночных позиций южнокорейского технологического гиганта.

Технологические особенности и роль стеклянных носителей

Важным аспектом, обеспечивающим столь масштабное производство, является использование технологии стеклянных носителей (glass carriers). Эти временные панели играют критическую роль в процессе подготовки DRAM-пластин к упаковке. Поскольку архитектура HBM требует вертикального стекирования множества тонких модулей памяти, пластины становятся крайне уязвимыми к деформации или механическим повреждениям.

Стеклянные носители выступают в качестве стабилизирующего каркаса, который удерживает хрупкие структуры до тех пор, пока процесс упаковки не будет завершен, после чего стекло удаляется. Тот факт, что для каждой производственной единицы требуется ровно один стеклянный носитель, позволяет аналитикам с высокой точностью прогнозировать объемы выпуска продукции, оценивая количество закупаемых материалов для стабилизации подложек.

Оптимизация производственных мощностей

В рамках подготовки к массовому переходу на стандарты следующего поколения, Samsung предприняла серьезную перестройку логистики собственных фабрик. Сообщается, что компания выделила половину всех доступных мощностей своего 4-нм техпроцесса (узла SF4) исключительно под производство базовых кристаллов (base die) для HBM4. Это стратегическое решение направлено на обеспечение бесперебойных поставок для разработчиков ИИ-ускорителей, которые в текущих реалиях предъявляют экстремальные требования к плотности размещения данных и итоговой пропускной способности памяти.

Динамика рыночного влияния

Успех Samsung в сегменте HBM обусловлен не только технологическим лидерством в освоении 10-нм техпроцесса класса 1c, но и своевременной доступностью инженерных образцов для ключевых партнеров. Предоставление клиентских версий HBM4E уже к середине 2026 года позволило компании значительно опередить конкурентов по темпам внедрения. Фактическое удвоение рыночной доли всего за четыре квартала — с 15% до 33% — подтверждает статус Samsung как основного бенефициара текущего бума в сфере искусственного интеллекта и серверных вычислений.

Источник: https://www.techpowerup.com