Китайский производитель полупроводников ChangXin Memory Technologies (CXMT) объявил о старте массового производства своей пятой платформы DRAM. Выступая на Всемирной производственной конференции 2026 года, представители компании заявили, что новая технология G5 позволит им составить конкуренцию ведущим мировым игрокам, включая Samsung, и существенно повысить эффективность выпускаемой продукции.
Технические особенности платформы G5
Разработка новой платформы стала важным этапом в развитии CXMT. Ключевым нововведением стало использование технологии самосовмещенного четверного фотошаблона (SAQP), благодаря которой активный полушаг области памяти составил 11,95 нм. Инженеры компании переработали архитектуру, внедрив современные интеграционные материалы, что позволило достичь соотношения сторон конденсатора массива 45:1.
Дополнительно в G5 реализован оптимизированный процесс формирования затворов из высокодиэлектрического металла (high-k metal gate), в результате чего высота ячейки памяти была сокращена до 6 762 нм. Для ускорения проектирования и отладки производства компания применила технологию «цифровых двойников». Этот виртуальный метод позволил CXMT создавать более сложные модели DRAM-процессов, оптимизируя этапы проектирования, изготовления и управления выходом годных кристаллов.
Масштабирование производства и новые продукты
Переход на архитектуру G5 обеспечил повышение плотности кристаллов на пластину на 50%, что положительно сказывается на энергоэффективности готовых модулей. На текущий момент производственные мощности CXMT задействованы для выпуска первых продуктов на базе этой технологии — микросхем стандарта LPDDR5X, предназначенных для смартфонов, ноутбуков и других мобильных устройств.
Новые чипы обладают емкостью 24 Гбит на кристалл, что на 50% превышает показатели предыдущего поколения памяти компании. В CXMT подчеркивают, что данные решения нацелены на удовлетворение глобального спроса, обеспечивая высокую производительность и надежность для цифровой экономики. В условиях меняющегося рынка памяти компания активно наращивает объемы выпуска пластин. На фоне роста оценочной стоимости отрасли эксперты не исключают, что продукция CXMT может найти применение в потребительской электронике крупных брендов, включая устройства Apple.
Технологический прорыв и амбиции CXMT
Внедрение платформы G5 знаменует собой переход CXMT к уровню технологий, который официально заявляется как сопоставимый с самыми передовыми узлами массового производства в индустрии памяти. Использование «цифровых двойников» на этапе R&D стало стратегическим преимуществом компании: виртуальное проектирование позволило инженерам не только ускорить создание сложных моделей процессов DRAM, но и отработать методы управления выходом годных кристаллов до начала физического производства. Эти «виртуальные» усилия по исследованиям и разработке играют критическую роль в сокращении технологического разрыва с такими гигантами, как Samsung.
Перспективы на глобальном рынке
Особое внимание в стратегии CXMT уделяется масштабированию: компания готовится к дальнейшему росту, планируя увеличение объемов выпуска кремниевых пластин до «невиданных ранее уровней». Это расширение происходит на фоне крайне нестабильной ситуации в индустрии памяти, где рыночные оценки активов демонстрируют взрывной рост. Аналитики отмечают, что на фоне активного наращивания производственных мощностей и технологического совершенствования, продукция CXMT приобретает стратегическое значение для глобальной цифровой экономики. В частности, способность компании поставлять высокопроизводительные решения LPDDR5X делает её потенциальным поставщиком для производителей электроники мирового уровня, включая Apple, что может значительно изменить расстановку сил на рынке мобильных комплектующих в ближайшие годы.
