Компания CXMT официально объявила о начале массового производства своей пятой платформы DRAM, получившей обозначение G5. Информация об этом была представлена на Всемирной производственной конференции 2026 года в Хэфэе. Данный шаг является частью стратегии Китая по сокращению технологического отставания от мировых лидеров отрасли, таких как Samsung, SK Hynix и Micron.
Особенности техпроцесса и увеличение плотности кристаллов
Ключевым техническим достижением новой платформы стало увеличение количества кристаллов на одной кремниевой пластине на 50% в сравнении с предыдущим поколением (расчет произведен на основе эквивалента 8 Гбит). Важно отметить, что данный показатель отражает плотность размещения чипов до этапа выбраковки, а не повышение производственного выхода годных изделий, данные о котором компания не раскрывает.
Техническая база G5 опирается на метод самосовмещенной четверной фотолитографии (self-aligned quadruple patterning). Это позволило CXMT уменьшить шаг активной области (half-pitch) в массиве памяти до 11,95 нм. Инженеры также добились соотношения сторон конденсатора 45:1 и сократили высоту массива ячеек до 6762 нм. Для достижения таких параметров использовался специализированный для DRAM техпроцесс с применением металлического затвора с высоким диэлектрическим коэффициентом (high-k metal gate).
Позиционирование на рынке и планы по расширению
Вице-президент CXMT Ло Сяодун на конференции заявил, что технологические возможности компании теперь сопоставимы с самыми современными узлами массового производства в индустрии. Тем не менее, эксперты отрасли придерживаются более сдержанных оценок. В частности, вице-президент TechInsights Чхве Чжон Дон во время августовского вебинара подчеркнул, что, несмотря на существенный прогресс, CXMT по-прежнему отстает от ведущих производителей DRAM примерно на два поколения.
Вместе с платформой G5 компания представила два продукта LPDDR5X объемом 24 Гбит. Чипы поставляются в корпусах с 496 и 245 контактами и предназначены для использования в смартфонах и портативной электронике. По словам Ло Сяодуна, эти компоненты уже находятся в массовом производстве и применяются в актуальных флагманских смартфонах китайских брендов, названия которых, однако, не уточняются.
Помимо успехов в сегменте оперативной памяти, CXMT активно расширяет свою деятельность. Компания планирует запуск научно-исследовательской и опытно-производственной линии NAND на новом объекте в Пекине. Это потенциально означает выход производителя во второй крупный сегмент рынка памяти, где на данный момент доминирующее положение среди китайских компаний занимает Yangtze Memory Technologies.
Технические детали и реализация
Внедрение метода самосовмещенной четверной фотолитографии стало фундаментальным для преодоления барьеров масштабирования. Достигнутые параметры, такие как соотношение сторон конденсатора 45:1 и высота массива ячеек 6762 нм, критически важны для обеспечения стабильной работы памяти при столь малом шаге активной области в 11,95 нм. Использование high-k metal gate процесса, адаптированного именно под архитектуру DRAM, позволило CXMT оптимизировать энергопотребление и производительность новых модулей LPDDR5X.
Рыночные перспективы и конкуренция
Несмотря на амбициозное заявление вице-президента Ло Сяодуна о паритете с лидерами индустрии, экспертная оценка TechInsights остается важным индикатором реального положения дел. Оценка Чхве Чжон Дона о двухпоколенческом отставании указывает на то, что, хотя плотность размещения кристаллов на пластине существенно возросла, CXMT всё ещё предстоит пройти путь по совершенствованию других аспектов технологического цикла, которые определяют конечный выход годных чипов (yield).
Параллельно с укреплением позиций в секторе DRAM, выход CXMT на рынок NAND через R&D-линию в Пекине знаменует собой начало прямой конкуренции с Yangtze Memory Technologies (YMTC). Этот шаг может изменить баланс сил на внутреннем китайском рынке полупроводников, создавая альтернативный источник NAND-памяти для локальных производителей электроники, которые до этого были в большей степени зависимы от поставок YMTC.
