Компания Samsung Foundry близка к заключению крупного контракта с ИИ-лабораторией Anthropic на изготовление специализированных интегральных схем (ASIC). Согласно опубликованным данным, разработчик нейросетей проектирует собственные ИИ-ускорители, опираясь на передовой 2-нм техпроцесс Samsung, известный как SF2. На начальном этапе объем производства составит около 200 000 чипов, что является относительно небольшой партией для проектов такого уровня, где тиражи часто исчисляются миллионами единиц. Вероятно, сейчас Anthropic оценивает жизнеспособность проекта, требующего создания комплексной инфраструктуры, включая сетевые решения, архитектуру стоек, системы электропитания и охлаждения.
Технические характеристики и особенности производства ускорителей
Разработкой и реализацией архитектуры ASIC занимается компания Broadcom. Целевая производительность чипа должна достигать 4 000 TOPS в вычислениях INT8 при уровне тепловыделения (TDP) в 1 300 Вт на один кристалл. В качестве подсистемы памяти планируется использование HBM3E объемом 192 ГБ или 288 ГБ, в зависимости от финальных возможностей дизайна.
Для создания этих чипов Samsung использует техпроцесс SF2, основанный на технологии литографии Low-NA EUV. В настоящее время выпуск продукции осуществляется на производственных мощностях в Южной Корее, однако компания также готовит к открытию новое предприятие в Тейлоре, штат Техас.
Технологии упаковки чипов от Samsung
Для интеграции 2-нм кристаллов с памятью HBM компания Samsung, вероятнее всего, задействует собственную технологию I-Cube, которая представляет собой 2.5D-упаковку и выступает конкурентом решениям CoWoS от TSMC. Освоение этих передовых процессов позволяет Samsung укрепить свои позиции на рынке контрактного производства и сократить технологический разрыв с главным конкурентом.
Параллельно с этим сообщается о формировании альянса между Samsung и Qualcomm для внедрения технологии 2.1D-упаковки. Данное решение направлено на предоставление клиентам доступа к передовым методам компоновки через специальные мосты, соединяющие кремниевые кристаллы. В основе 2.1D-упаковки лежат органические материалы, применяемые в обычных печатных платах — например, эпоксидные полимеры и медная разводка. Samsung может внедрить эту технологию в свои будущие продукты, однако более подробная информация станет доступна ближе к моменту готовности чипа к производству (tapeout).
Детали производства и перспективы развития
Важно отметить, что текущий выбор техпроцесса SF2 с использованием литографии Low-NA EUV является стратегическим шагом для Samsung. Хотя объемы в 200 000 единиц выглядят скромно на фоне стандартных отраслевых показателей для ASIC, проект Anthropic носит экспериментальный характер и служит для оценки масштабируемости всей экосистемы. Успешная реализация потребует от Samsung не только выпуска самих чипов, но и создания полноценной инфраструктуры «под ключ», включая проектирование стоек, оптимизацию систем питания и сложнейших контуров охлаждения, необходимых для эффективной работы чипов с TDP 1 300 Вт.
Технология упаковки I-Cube, которую Samsung намерена противопоставить решению CoWoS от TSMC, играет ключевую роль в интеграции 2-нм кристаллов с многослойными стеками памяти HBM3E. Параллельно с этим, инициатива по созданию «Альянса 2.1D-упаковки» совместно с Qualcomm открывает новые горизонты для индустрии. Использование органических мостов, состоящих из эпоксидных полимеров и медной разводки (материалов, схожих с теми, что применяются в производстве традиционных печатных плат), позволяет создавать более доступные и гибкие межсоединения для нескольких кристаллов в одной сборке.
Сотрудничество с такими игроками, как Broadcom, выступающей в качестве архитектора ASIC, и последующее внедрение инновационных методов межчиповых соединений позволяют Samsung рассчитывать на усиление своего присутствия в сегменте высокопроизводительных вычислений. Ожидается, что более детальная информация о применении этих методов упаковки появится ближе к моменту отправки дизайна на ленточный фотошаблон (tapeout), что станет важным индикатором зрелости производственных линий компании.
