На международной выставке Computex Taipei 2026 компания Samsung впервые представила технологию памяти следующего поколения — HBM5. Этот стандарт призван закрыть растущие потребности высокопроизводительных вычислений и обучения нейросетей в будущем.
Технологические особенности и перспективы
Разработчики планируют вывести HBM5 на рынок в период с 2029 по 2031 год. В основе новой памяти лежит передовой производственный процесс: предполагается использование базового кристалла, выполненного по техпроцессу 2 нм, в сочетании с 1-нм модулями DRAM.
_large.png "Технологии будущего: Samsung впервые показала память HBM5")
Охлаждение и производительность
Одной из ключевых задач при создании HBM5 стало решение проблемы высокого тепловыделения. Для эффективного отвода тепла в новой памяти будет применяться технология иммерсионного охлаждения — кристалл и корпус устройства будут непосредственно погружаться в диэлектрическую охлаждающую жидкость.
Основные характеристики HBM5:
- Интерфейс ввода-вывода: 4096 бит (в два раза больше по сравнению с 2048-битным HBM4).
- Архитектура: 16-слойная (16-Hi).
- Пропускная способность: до 4 ТБ/с на один стек.
_large.png "Leica обратилась к китайцам за помощью в создании CMOS-датчика для следующего поколения камер")
_large.png&description=Samsung анонсировала перспективную память HBM5 для ИИ-вычислений. Узнайте характеристики, особенности иммерсионного охлаждения и сроки выхода нового стандарта.){kind=link}