Компания Samsung Electronics анонсировала разработку наиболее производительного в индустрии решения стандарта Universal Flash Storage (UFS) 5.0. Новая память призвана обеспечить стабильную и быструю работу передовых функций искусственного интеллекта в будущих поколениях смартфонов и мобильных устройств.
Оптимизация для работы с ИИ
Внедрение UFS 5.0 позволит существенно сократить задержки и повысить скорость отклика при запуске локальных больших языковых моделей (LLM). Поскольку генеративный ИИ постепенно переходит из облачных серверов непосредственно на пользовательские гаджеты, требования к объему и скорости обработки данных кратно возрастают. В этой парадигме накопитель перестает быть просто местом для хранения файлов, превращаясь в фундамент вычислительной инфраструктуры устройства.
Рекордные технические характеристики
Технология, основанная на актуальном стандарте JEDEC, демонстрирует впечатляющие показатели пропускной способности, достигающие 10,8 ГБ/с. Благодаря этому память Samsung UFS 5.0 способна обрабатывать задачи на качественно новом уровне.
Согласно заявленным спецификациям, скорость последовательного чтения достигает 10,8 ГБ/с, а записи — 9,5 ГБ/с. Эти цифры более чем вдвое превышают возможности предыдущего стандарта UFS 4.1, что гарантирует мгновенную работу с массивными датасетами, необходимыми современным нейросетям.
Энергоэффективность и компактность
Инженеры Samsung добились значительных успехов в оптимизации энергопотребления: показатель энергоэффективности вырос более чем на 40% относительно UFS 4.1. Это стало возможным благодаря внедрению инновационных методов управления тактовой частотой и многовольтовых технологий. Снижение затрат энергии при передаче данных напрямую отражается на автономности мобильных устройств.
Кроме того, удалось уменьшить габариты модуля. Размер корпуса UFS 5.0 составляет 7,5 мм x 13 мм x 0,9 мм, что на 16,7% компактнее решений предыдущего поколения.
Массовое производство новой памяти Samsung UFS 5.0 запланировано на четвертый квартал текущего года. На рынок поступят накопители объемом до одного терабайта (ТБ).
