Американская корпорация Micron Technology официально анонсировала масштабное расширение своих производственных мощностей в Японии. Компания планирует инвестировать около $9,2 млрд в развитие своего производственного комплекса, расположенного в Хиросиме. Основной целью проекта станет создание инфраструктуры для выпуска памяти следующего поколения — High Bandwidth Memory (HBM), которая критически необходима для работы современных графических ускорителей и передовых систем искусственного интеллекта.
Память с высокой пропускной способностью (HBM) сегодня является фундаментом индустрии ИИ. Благодаря способности передавать огромные массивы данных с минимальными задержками и высокой энергоэффективностью, этот тип памяти стал определяющим компонентом для производительности мощных вычислительных кластеров. Дефицит или нехватка HBM зачастую становится «узким местом», сдерживающим развитие всей инфраструктуры нейросетей.
Согласно планам Micron, запуск расширенных линий в Хиросиме состоится во второй половине 2028 года. Проект получает значительную государственную поддержку: Министерство экономики, торговли и промышленности Японии (METI) рассматривает возможность предоставления субсидий в размере около $3,1 млрд. Этот шаг является частью долгосрочной стратегии Японии по укреплению национальной полупроводниковой базы путем привлечения ключевых мировых производителей.
Площадка в Хиросиме уже давно считается одним из важнейших узлов Micron в производстве оперативной памяти (DRAM). Ранее компания провела здесь масштабную модернизацию, внедрив технологии экстремальной ультрафиолетовой литографии (EUV). Это позволило успешно перейти от техпроцесса 1-beta к более совершенному и плотному 1-gamma. Новые инвестиции будут интегрированы в эту платформу, что значительно повысит стратегический вес предприятия в глобальной производственной сети компании.
В текущих условиях Micron делает ставку на модель распределенного производства. Такой подход позволяет быстрее наращивать необходимые объемы продукции, снижает риски зависимости от конкретной площадки и дает возможность гибко адаптироваться к волатильности рынка памяти.
На сегодняшний день рынок HBM характеризуется крайне высокой конкуренцией. Лидирующие позиции удерживает SK hynix, чьи решения массово применяются в ИИ-ускорителях Nvidia. Samsung Electronics также интенсивно наращивает свои мощности, стремясь усилить давление на основных игроков отрасли.
Micron постепенно отвоевывает долю рынка, последовательно расширяя поставки новых поколений HBM. Эксперты отрасли полагают, что при успешной реализации текущих инвестиционных планов компания способна занять около 25% рынка HBM и обеспечить до 20% общего мирового объема поставок данного типа памяти.
