Intel долгое время позиционировала переход на подвод питания с обратной стороны кремниевой пластины (BSPDN) как ключевое технологическое преимущество. Однако, судя по последним данным южнокорейских СМИ, компания рассматривает более гибкий подход: в рамках техпроцесса Intel 14A2 может быть реализован подвод питания с обеих сторон кристалла.
Проблема заключается в сложности дальнейшего масштабирования транзисторных структур. Базовый техпроцесс Intel 14A предполагает достижение шага в 28 нм для нижнего металлического слоя M0. Для того чтобы сократить этот показатель до 21 нм в модифицированной версии 14A2, разработчикам потребуется внедрить гибридное решение. Суть его заключается в комбинировании подвода питания с обеих сторон пластины, при этом обратная сторона останется приоритетной.
Специалисты отмечают, что при уменьшении шага геометрии менее 21 нм сопротивление на уровне межсоединений начинает расти экспоненциально. Существующая инфраструктура межслойных соединений (nTSV), спроектированная для питания исключительно с обратной стороны, не справляется с обеспечением необходимых условий при такой высокой плотности транзисторов. Это приводит к просадкам напряжения, что делает дальнейшее масштабирование при классическом подводе питания неэффективным.
Чтобы решить эту задачу, Intel планирует перераспределить нагрузку: вспомогательные элементы чипа будут получать питание с лицевой стороны кристалла. Подобная архитектура обеспечит лучший запас по мощности и позволит добиться более высокой плотности размещения компонентов даже при переходе на экстремально тонкие техпроцессы.
Напомним, что базовый техпроцесс Intel 14A планируется освоить на уровне опытных образцов к концу 2028 года, а полномасштабный запуск массового производства ожидается не ранее 2029 года. Версия Intel 14A2 появится на рынке позднее. Ожидается, что внедрение Intel 14A позволит увеличить плотность размещения транзисторов в 1,3 раза по сравнению с технологией Intel 18A.
_large.jpg "Завод «Ангстрем» спасают после краха проекта 130-нм чипов")
