Домой Новости Железо В Китае создали флеш-память, которой нужен всего один электрон

В Китае создали флеш-память, которой нужен всего один электрон

Технология Guiyi может сократить потребление энергии чипами в тысячи раз — первые устройства ожидаются через пять лет.

Китайские ученые из Фуданьского университета представили экспериментальную флеш-память нового поколения, способную хранить информацию с использованием всего одного электрона. Если технология успешно выйдет за пределы лаборатории, она позволит радикально снизить энергопотребление современной электроники.

Экспериментальная графеновая структура памяти
Прототип памяти, хранящей один электрон Источник: ixbt.com

Для понимания масштаба инновации: сегодня для надежного хранения одного бита данных стандартным микросхемам памяти требуется около 200 тысяч электронов. Столь значительный запас заряда необходим для защиты информации от внешних помех и риска случайной потери данных.

Революционная технология Guiyi

Исследователи предложили принципиально иной подход, разработав двумерную структуру на основе графена. Она способна удерживать единственный электрон, обеспечивая при этом заметное усиление электрического сигнала. В ходе экспериментов амплитуда сигнала достигла примерно 0,5 В. Это на порядок выше показателей большинства других экспериментальных разработок, где подобные параметры обычно исчисляются лишь десятками милливольт.

Новая технология получила название Guiyi («Возвращение к одному»). Как отмечают авторы, название вдохновлено буддийской метафорой, согласно которой даже крошечное горчичное зерно может вместить в себя целую гору. Таким образом ученые подчеркнули главную идею проекта: хранение колоссальных объемов информации с помощью минимального количества физических носителей заряда.

Коммерциализация и перспективы

Руководитель проекта, профессор микроэлектроники Чжоу Пэн, уже объявил о планах создать компанию для коммерциализации технологии до конца текущего года. По его предварительным оценкам, первые устройства на базе памяти нового типа могут появиться на рынке примерно через пять лет.

Данная работа стала логическим продолжением предыдущих достижений команды. В 2025 году исследователи представили энергонезависимую память PoX, а позже разработали платформу Changying, позволяющую интегрировать двумерные элементы памяти с традиционными кремниевыми микросхемами.

На текущем этапе Guiyi остается сугубо лабораторной разработкой. Чтобы увидеть её в составе серийных устройств, ученым предстоит решить ряд сложных инженерных задач: наладить процессы массового производства таких чипов и подтвердить их долговременную надежность в реальных условиях эксплуатации.

Источник: https://www.ixbt.com