Домой Железо Samsung представила архитектуру zHBM и память V10 BV-NAND для центров обработки данных

Samsung представила архитектуру zHBM и память V10 BV-NAND для центров обработки данных

Новые аппаратные решения компании позволяют в восемь раз увеличить производительность систем для обучения нейросетей.

Компания Samsung представила новейшие технологические разработки в области памяти и систем хранения данных на профильной выставке Future of Memory and Storage, прошедшей в Санта-Кларе. Эти аппаратные решения призваны ускорить развитие инфраструктуры искусственного интеллекта и повысить эффективность современных центров обработки данных.

Инновации в архитектуре zHBM

Одной из ключевых премьер стала архитектура zHBM. Она базируется на технологиях HBM, которые уже активно применяются в графических процессорах и специализированных ускорителях для ИИ. Главная особенность zHBM заключается в изменении физической компоновки: теперь память располагается вертикально непосредственно над вычислительными кристаллами, а не параллельно им. Такое инженерное решение позволяет увеличить общую производительность системы до восьми раз.

Кроме того, в архитектуре используется передовое поколение технологии соединения пластин. Это обеспечивает плотность памяти, которая более чем в 10 раз превосходит текущие показатели решений стандарта HBM5, при одновременном повышении энергоэффективности в три раза.

Память V10 BV-NAND и решения для периферийного ИИ

Помимо серверных компонентов, Samsung анонсировала развитие линейки V-NAND для твердотельных накопителей и карт памяти. Новая разработка V10 BV-NAND использует продвинутую архитектуру объединения, включающую более 400 слоев ячеек памяти. В сравнении с предыдущим поколением V9, плотность данных выросла на 58%, при этом были существенно улучшены параметры скорости чтения, записи и операций ввода-вывода.

Также компания представила продукт zNAND-O — новое поколение памяти, ориентированное на работу с периферийным искусственным интеллектом (Edge AI). Она сочетает высокую плотность упаковки, низкие задержки и повышенную производительность ввода-вывода. Отдельное внимание было уделено модулям LPDDR5X-PIM — это первая в отрасли память стандарта LPDDR, оснащенная технологией обработки данных непосредственно внутри чипа, что позволяет значительно снизить энергопотребление и нагрузку на центральный процессор.

Samsung представила архитектуру zHBM и память V10 BV-NAND для центров обработки данных
Samsung представила архитектуру zHBM и память V10 BV-NAND для центров обработки данных — иллюстрация к материалу. Источник: engadget.com

Ранее мы уже сообщали, что Samsung представила память нового поколения для центров обработки данных и ИИ, подтверждая стремление компании удерживать лидерство в сегменте высокопроизводительных вычислительных систем.

Источник: https://www.engadget.com