Компания Samsung представила передовые технологические решения в области памяти и систем хранения данных, ориентированные на развитие инфраструктуры искусственного интеллекта и дата-центров. Анонс состоялся на профильной конференции Future of Memory and Storage (FMS) в Санта-Кларе, где южнокорейский производитель продемонстрировал концепции, способные задать вектор развития индустрии на ближайшие годы.
Новая архитектура zHBM для искусственного интеллекта
Одной из главных премьеров стала архитектура zHBM. Это развитие идей классической памяти HBM, которая уже используется в современных ИИ-ускорителях и высокопроизводительных GPU. Инженеры Samsung предложили принципиально иную компоновку: вертикальное размещение памяти непосредственно поверх ИИ-ускорителя. Такой подход позволяет радикально сократить путь передачи данных и увеличить производительность системы в восемь раз по сравнению с традиционными схемами.
Достичь таких показателей удалось за счет внедрения технологий соединения пластин нового поколения. По заявлениям разработчиков, новая архитектура обеспечивает десятикратное увеличение плотности памяти относительно стандарта HBM5, при этом энергоэффективность возрастает в три раза.
Память V10 BV-NAND и другие технологические новинки
Компания также расширила свой ассортимент накопителей, представив технологию V10 BV-NAND. Использование архитектуры bonding V-NAND позволило инженерам достичь невероятной плотности, объединив в одном кристалле более 400 слоев ячеек памяти. По сравнению с предыдущим поколением V9, показатели плотности хранения данных выросли на 58%, а также были оптимизированы параметры скорости чтения, записи и операций ввода-вывода.
В числе других инноваций — решение zNAND-O, созданное для периферийных вычислений в системах ИИ. Оно обеспечивает низкие задержки и высокую эффективность работы с данными. Особого внимания заслуживает LPDDR5X-PIM — первая в отрасли память стандарта LPDDR, в которую интегрирована технология обработки данных (Processing-in-Memory), что позволяет выполнять вычисления непосредственно внутри микросхем памяти.
Ситуация на рынке памяти
На сегодняшний день Samsung вместе с SK Hynix удерживает лидирующие позиции на мировом рынке полупроводниковой памяти. Стремительное внедрение искусственного интеллекта во все сферы IT формирует беспрецедентный спрос на специализированные комплектующие. Производственные мощности зачастую не успевают за потребностями рынка, что неизбежно ведет к удорожанию электронных компонентов — от серверных модулей до оперативной памяти для потребительских смартфонов, консолей и ноутбуков.
