Домой Статьи и аналитика Технологии Samsung представила память нового поколения для центров обработки данных и ИИ

Samsung представила память нового поколения для центров обработки данных и ИИ

Компания представила 400-слойную память V10 BV-NAND и концептуальную архитектуру zHBM, увеличивающую производительность ИИ-систем в восемь раз.

Компания Samsung представила новейшие технологические решения и перспективные концепции в области производства оперативной памяти и систем хранения данных. Анонс состоялся в рамках отраслевой конференции Future of Memory and Storage (FMS), прошедшей в Санта-Кларе. Представленные разработки в первую очередь ориентированы на инфраструктуру искусственного интеллекта и высокопроизводительные дата-центры, что подчеркивает вектор развития индустрии на фоне растущего спроса на специализированные компоненты.

Новая архитектура zHBM для систем искусственного интеллекта

На мероприятии компания продемонстрировала первые концептуальные образцы памяти zHBM. Эта разработка является эволюционным развитием стандарта HBM, который сегодня активно используется в ИИ-ускорителях, серверных мощностях и топовых графических адаптерах. Ключевая особенность архитектуры zHBM заключается в переходе к вертикальному размещению чипов памяти непосредственно над ИИ-ускорителем. Подобный подход позволяет преодолеть физические ограничения прежних схем компоновки и повысить производительность системы в восемь раз.

Дополнительно Samsung применила передовую технологию соединения кремниевых пластин, благодаря которой плотность хранения данных удалось увеличить более чем в десять раз относительно текущего стандарта HBM5. При этом энергоэффективность новых модулей возросла в три раза.

Память V10 BV-NAND и расширение технологического портфеля

Важным дополнением линейки накопителей стала архитектура V10 BV-NAND. В этой технологии используется метод Bonding V-NAND, позволяющий объединять более 400 слоев ячеек памяти в одном чипе. По сравнению с предыдущим поколением V9, плотность данных увеличилась на 58%, при этом были заметно оптимизированы скоростные характеристики чтения, записи и операций ввода-вывода.

Также компания представила решение zNAND-O, которое сочетает улучшенные показатели ввода-вывода, минимальные задержки и эффективное использование пространства, что критически важно для периферийных ИИ-систем. Кроме того, была показана память LPDDR5X-PIM — первая в отрасли LPDDR-память со встроенной технологией обработки данных (PIM), позволяющей выполнять вычисления непосредственно внутри ячеек памяти.

Микросхема памяти на кремниевой пластине
Перспективные разработки памяти на конференции FMS Источник: engadget.com

Текущая рыночная конъюнктура

Южнокорейский технологический гигант совместно с компанией SK Hynix удерживает значительную долю мирового рынка памяти. Бурное развитие технологий искусственного интеллекта провоцирует колоссальный спрос, который текущие производственные мощности не всегда способны удовлетворить. Эти факторы провоцируют волатильность и рост цен на компоненты, что в конечном итоге затрагивает конечных потребителей смартфонов, игровых консолей и ноутбуков.

Источник: https://www.engadget.com