Домой Новости Индустрия и рынок Бельгийско-китайский исследователь арестован по делу о краже технологий производства чипов из GaN

Бельгийско-китайский исследователь арестован по делу о краже технологий производства чипов из GaN

В Бельгии задержали бывшего исследователя компании BelGaN по подозрению в промышленном шпионаже. Его обвиняют в передаче технологий производства нитрид-галлиевых чипов в Китай.

3
0

Бельгийские правоохранительные органы предъявили обвинения 52-летнему гражданину Бельгии китайского происхождения, который подозревается в промышленном шпионаже. Мужчина, в бельгийских СМИ обозначаемый как Х.Л., был задержан 10 мая в аэропорту Брюсселя при попытке вылететь в Китай. По данным федеральной прокуратуры, объявленным 7 сентября, следствие полагает, что задержанный передавал интеллектуальную собственность и коммерческую тайну компании BelGaN, где ранее занимал должность ведущего исследователя, китайской стороне.

Галлий и германий
Галлий и германий

Подробности расследования деятельности BelGaN

Компания BelGaN, специализировавшаяся на разработке полупроводников на основе нитрида галлия (GaN), обанкротилась летом 2024 года. После этого бельгийские власти инициировали стандартную финансовую проверку, которая выявила подозрительную корпоративную активность. Следователи пришли к выводу, что вместо поддержания жизнеспособности предприятия руководство и задержанный исследователь могли целенаправленно способствовать закрытию компании после вывода её проприетарных технологий.

В ходе проверки выяснилось, что задержанный Х.Л. одновременно возглавлял китайскую компанию GanKool, которая занималась разработкой идентичных GaN-технологий. Эта фирма была основана через несколько месяцев после того, как Х.Л. начал работу в BelGaN, и получала финансирование от китайского инвестиционного фонда. В настоящее время подозреваемому инкриминируют промышленный шпионаж, участие в преступной организации, нецелевое использование активов компании и незаконное разглашение коммерческой тайны.

Причастность бывшего руководства

Помимо действий исследователя, следствие обнаружило доказательства, связывающие последнего генерального директора BelGaN — гражданина Китая — с той же конкурентной структурой. Представители прокуратуры заявили, что второй подозреваемый по делу в настоящее время находится в розыске. Местные СМИ предполагают, что речь идет именно об экс-главе компании.

Данный инцидент стал отражением обостряющейся глобальной конкуренции в полупроводниковой индустрии. На фоне попыток Китая снизить зависимость от импортных технологий и ограничений США на экспорт современного оборудования и процессоров, случаи кражи интеллектуальной собственности становятся более частыми. Аналогичная ситуация произошла в Южной Корее, где в августе стало известно об обвинениях в адрес китайского производителя памяти CXMT. Компания, по версии следствия, использовала украденную дорожную карту Samsung под названием «Проект Хэфэй», включая пошаговые инструкции по производству DRAM-памяти. В рамках того дела бывший инженер Samsung уже был приговорен к семи годам тюремного заключения.

Детали расследования и контекст «Проекта Хэфэй»

Расследование деятельности BelGaN выявило, что компания GanKool была не просто сторонним конкурентом, а инструментом для целенаправленного поглощения наработок бельгийского предприятия. Финансирование этой структуры осуществлялось за счет китайского инвестиционного фонда, что подтверждает стратегический характер интереса к технологиям нитрида галлия (GaN). Внимание следователей привлек тот факт, что ключевые фигуры внутри BelGaN, вместо попыток спасения бизнеса, действовали в интересах сторонней компании, что и послужило основанием для обвинений в участии в преступной организации.

Масштаб подобных инцидентов подчеркивает крайне напряженную ситуацию в полупроводниковом секторе, где интеллектуальная собственность становится главным ресурсом в условиях экспортного контроля и торговых ограничений со стороны США. Инцидент с участием Х.Л. является не единичным случаем, а частью более широкой тенденции.

Так, в деле южнокорейского производителя памяти CXMT, фигурировавшем в недавних судебных документах, использовалась особенно детальная стратегия кражи данных. В рамках так называемого «Проекта Хэфэй» злоумышленники получили доступ к проприетарной технологии Samsung DRAM. Ключевым элементом этого дела стало похищение секретного 620-шагового технологического процесса производства (рецептуры). Использование столь точных технических спецификаций, как и в случае с BelGaN, демонстрирует системный характер попыток получения доступа к передовым западным и азиатским разработкам для ускорения собственного импортозамещения в Китае.