Домой Железо Память и накопители CXMT начала серийное производство памяти LPDDR6

CXMT начала серийное производство памяти LPDDR6

Компания CXMT официально объявила о запуске массового производства оперативной памяти нового поколения LPDDR6. Первым клиентом стала Xiaomi.

3
0

Компания CXMT официально объявила о запуске массового производства оперативной памяти нового поколения LPDDR6. Это достижение позволяет производителю занять лидирующие позиции в отрасли, опережая или идя наравне с южнокорейскими конкурентами, которые также готовятся к масштабному выпуску подобных решений. Первым клиентом CXMT стала компания Xiaomi, чье устройство Xiaomi 18 Fold должно выйти в сентябре. Из-за скорого релиза смартфона поставки микросхем памяти уже начались, так как комплектующие должны поступить до конца месяца. Данному шагу предшествовало проведение рискового производства LPDDR6, что говорит о высоком уровне выхода годных кристаллов на предприятиях.

Микросхема оперативной памяти LPDDR6

Технические характеристики памяти LPDDR6 от CXMT

Первое поколение памяти LPDDR6 с заводов CXMT способно функционировать на скорости до 12,8 Гбит/с, в то время как базовая спецификация стандарта предусматривает 10,7 Гбит/с. Для сравнения, предыдущий стандарт LPDDR5X мог достигать отметки в 10,7 Гбит/с лишь в условиях сильного разгона, тогда как новый стандарт изначально ориентирован на значительно более высокие показатели производительности. Чипы производятся с емкостью 16 Гбит, что эквивалентно 2 ГБ, а сами микросхемы памяти размещаются в корпусе типа package-on-package с примерно 1 295 контактами в матрице шариковых выводов.

Список клиентов и планы других производителей

Согласно официальным данным с сайта CXMT, помимо Xiaomi, в число заказчиков вошли такие технологические гиганты, как Alibaba Cloud, ByteDance, Tencent, Lenovo, Transsion, Honor, Vivo и Oppo. Тем временем компания SK hynix также близка к запуску серийного выпуска собственной продукции. Южнокорейский производитель ранее заявлял, что его модули LPDDR6 будут иметь емкость 16 Гбит на базе шестого поколения 10-нанометрового техпроцесса, известного как 1c, а их скорость составит до 14,4 Гбит/с. Несмотря на различия в скоростных показателях между отдельными производителями, все они укладываются в официальные спецификации стандарта LPDDR6, утвержденные JEDEC, а по мере дальнейшего развития технологий можно ожидать появления еще более быстрых чипов.

Примечание редакции: судя по всему, в первоисточнике содержится детальная временная шкала и технические нюансы, часть из которых уже была отражена в общих чертах, однако заслуживает более точной детализации в рамках развития рынка мобильной памяти.

Дополнительные технические особенности и контекст производства

События вокруг запуска стандарта развивались стремительно: официальное подтверждение массового производства на сайте CXMT появилось 7 сентября 2026 года в 14:55 по всемирному координированному времени (UTC). Ему предшествовал этап так называемого «рискового производства» (risk production), успешное прохождение которого напрямую указывает на очень высокий уровень выхода годной продукции на линиях китайского производителя.

Что касается технологического базиса, новый стандарт LPDDR6 напрямую продолжает эволюцию решений LPDDR5X. Напомним, что предыдущее поколение могло достигать скорости в 10,7 Гбит/с исключительно при условии сильного разгона. В то же время современный стандарт изначально проектировался с расчетом на существенно более высокие базовые показатели: базовая скорость для LPDDR6 установлена на отметке 10,7 Гбит/с, однако дебютные чипы с конвейера CXMT способны функционировать на впечатляющей частоте до 12,8 Гбит/с.

Особенности конструктивного исполнения

Каждый отдельный чип памяти изготавливается с емкостью 16 Гбит, что в привычном эквиваленте составляет 2 ГБ. Сама микросхема памяти (IC) монтируется в компактном корпусе типа package-on-package (POP) и насчитывает около 1 295 контактов, выполненных в виде матрицы шариковых выводов (ball grid array).

Планы конкурентов и стандартизация

Южнокорейский гигант SK hynix также вплотную приблизился к запуску серийного производства аналогичной продукции. Согласно ранее опубликованным данным компании, её модули LPDDR6 будут использовать передовой шестой по счету 10-нанометровый техпроцесс, получивший обозначение «1c». Заявленная скорость таких чипов достигает 14,4 Гбит/с при той же емкости в 16 Гбит.

Важно отметить, что несмотря на разницу в скоростных характеристиках между решениями от CXMT (12,8 Гбит/с) и разработками SK hynix (до 14,4 Гбит/с), все эти показатели полностью укладываются в рамки официальных спецификаций стандарта LPDDR6, утвержденных организацией JEDEC. По мере дальнейшего совершенствования технологических процессов и развития производственных возможностей эксперты отрасли прогнозируют появление на рынке еще более быстрых и энергоэффективных микросхем памяти.

Источник: https://www.techpowerup.com