Производители памяти всё чаще приходят к выводу, что дефицит на рынке становится долгосрочным явлением, а привычная циклическая смена цен уходит в прошлое. Аналитики Jefferies прогнозируют, что нехватка микросхем DRAM и NAND сохранится как минимум до 2028 года, поэтому покупателям не стоит рассчитывать на традиционные откаты цен после периодов роста.
По оценкам экспертов, в текущем квартале контрактные цены на память вырастут на 40–50%, а по итогам четвёртого квартала добавят еще 30–40%. Тенденция сохранится и в 2027 году: ожидается рост цен на 40–45%, так как за этот период вендоры просто не успеют запустить в эксплуатацию необходимые производственные мощности. Сейчас облачные гиганты уже выкупают до 50% доступного объёма памяти, однако в ближайшем будущем этот показатель может достигнуть 70%. Крупные игроки заключают с поставщиками долгосрочные контракты сроком от двух лет, часто предусматривающие предоплату до 40% от стоимости заказа.
Проблемы потребительского сегмента и доминирование HBM
В секторе потребительской электроники аналогичные жесткие контракты практически отсутствуют. Из-за углубления дефицита производители техники получают всё меньше микросхем, что бьет не только по розничным ценам, но и по возможности поддерживать необходимые объемы выпуска устройств. Кроме того, высокомаржинальная память HBM занимает всё больше места на конвейерах, вытесняя классическую DRAM. В текущих условиях Samsung Electronics пытается сократить технологическое отставание от конкурентов, делая ставку на освоение производства памяти HBM4.
Роль китайских производителей
Китайские компании пока не способны существенно улучшить ситуацию на мировом рынке. Масштабный выпуск передовой HBM в КНР отсутствует, а стандартная DRAM в основном уходит на нужды внутреннего рынка. Из-за отставания от западных и южнокорейских конкурентов на полтора-два поколения, а также отсутствия доступа к EUV-литографии, компании вроде CXMT вряд ли смогут наладить выпуск DDR6 или HBM3E в обозримой перспективе. Более подробно о стратегии экспансии этого игрока можно прочитать в материале о том, как китайской оперативки станет больше.
В сегменте NAND влияние Китая будет ощущаться сильнее: к 2028 году местные производители смогут достичь мирового уровня как по объемам поставок, так и по технологическим характеристикам. Однако, чтобы цены на DRAM начали снижаться к 2028 году, мировые объемы производства должны увеличиться на 15–20%. Достижение этого сценария напрямую зависит от того, насколько замедлятся темпы роста спроса на память со стороны инфраструктуры искусственного интеллекта.
