Стартап Saimemory, основанный при участии Intel, SoftBank и Токийского университета, работает над новой технологией памяти, которая призвана превзойти текущие стандарты HBM (High Bandwidth Memory). Разработка нацелена на создание сверхвысокой пропускной способности, необходимой для работы современных ускорителей искусственного интеллекта.
Дебют технологии HB3DM
Официальная презентация новой памяти, получившей название HB3DM, состоится в июне 2026 года на конференции VLSI. В основе решения лежит технология Z-Angle Memory (ZAM). Префикс «Z» в названии подчеркивает вертикальную архитектуру размещения кристаллов, которая концептуально близка к классической HBM. Для создания модулей компания планирует задействовать передовые технологии стекирования от Intel.
Конструктивные особенности и характеристики
Первое поколение памяти HB3DM базируется на девятислойной структуре, где кристаллы соединяются с помощью гибридной технологии вертикальной компоновки. Основой всей конструкции выступает логический слой, отвечающий за управление потоками данных. Над ним размещаются восемь слоев DRAM. Для обеспечения высокой плотности соединений каждый слой оснащен примерно 13 700 сквозных контактов (TSV).
Расчетная емкость одного слоя составляет 1,125 Гбайт, что в сумме дает 10 Гбайт на один стек. Благодаря архитектурным оптимизациям технология позволяет достичь пропускной способности около 0,25 Тбайт/с на мм². Таким образом, для модуля площадью 171 мм² пиковая производительность может составить до 5,3 Тбайт/с. Для сравнения, стандарт HBM4 обеспечивает около 2 Тбайт/с на стек, что делает решение Saimemory более чем в два раза эффективнее.
Ограничения и перспективы
Несмотря на выдающиеся скоростные показатели, технология HB3DM имеет текущие ограничения по объему. Максимальная емкость одного стека составляет 10 Гбайт, тогда как HBM4 поддерживает конфигурации до 48 Гбайт. Intel не исключает возможности наращивания количества слоев в будущем, однако текущие усилия разработчиков сфокусированы именно на максимизации скорости обмена данными.
На сегодняшний день сроки выхода коммерческих продуктов на базе HB3DM остаются неясными. Также открытым остается вопрос о производственных мощностях: не исключено, что базовые кристаллы DRAM будет выпускать сама Intel. Больше технических подробностей ожидается после выступления компании на выставке VLSI 2026.
