Компания Kioxia сообщила о начале тестовых поставок образцов флеш-памяти типа TLC ёмкостью 1 Тбит, созданной по технологии BiCS FLASH 3D девятого поколения.
Новые чипы спроектированы для интеграции в твердотельные накопители (SSD), предназначенные для персональных компьютеров и ноутбуков. Кроме того, они найдут применение в смартфонах с поддержкой функций искусственного интеллекта, где критически важны компактные размеры накопителя и высокая скорость передачи данных.
Технологические особенности
При производстве этой памяти Kioxia применяет передовые методики CMOS Direct Bonded to Array (CBA) и On-Pitch Select Gate Drain (OPS). Компания параллельно развивает два направления: девятое поколение NAND, сфокусированное на высокой производительности при оптимизации затрат на производство, и десятое поколение, в котором упор сделан на максимально возможную плотность компоновки слоёв для достижения рекордных показателей ёмкости.
Характеристики BiCS FLASH 3D TLC
Память BiCS FLASH 3D девятого поколения состоит из 230 слоёв. Инженеры Kioxia объединили проверенные решения восьмого поколения с современными CMOS-технологиями, благодаря чему удалось достичь скорости интерфейса до 4,8 Гбит/с. Этот показатель на 33% превышает скорость работы памяти NAND восьмого поколения и выводит новинку на уровень производительности десятого поколения продукции компании.
