Китайский производитель полупроводников CXMT испытывает значительные технические сложности при попытке наладить выпуск памяти стандарта HBM3E. Согласно информации южнокорейских СМИ, обнародованной 9 сентября 2026 года, текущий уровень выхода годных кристаллов у компании составляет всего 25%: три из четырех стеков памяти оказываются дефектными. Это ставит под сомнение возможность быстрого масштабирования производства в ближайшем будущем.
Технологические причины низкого выхода годной продукции
Основным препятствием для CXMT стала недостаточная отработанность технологии сквозных кремниевых переходов (TSV), которые необходимы для вертикальной компоновки слоев DRAM. Процесс создания таких многослойных структур значительно сложнее производства планарной памяти, в выпуске которой компания традиционно демонстрирует успехи. Согласно отчетным данным, производственный цикл CXMT разделен на два этапа: на фронт-энд этапе выход годных изделий составляет около 30%, а последующая бэк-энд обработка добавляет к этому значению еще 70% эффективности.
Эксперты отмечают, что компания пытается реализовать конфигурацию 8-Hi HBM3E, используя всего 3000 межсоединений TSV на каждый слой. Для сравнения, лидеры индустрии применяют гораздо более плотные схемы: Samsung использует около 5000 TSV на слой в памяти HBM2, а SK Hynix задействует более 8000 межсоединений на слой в своих решениях HBM3. Из-за существующих инженерных ограничений эксперты считают маловероятным переход компании к созданию более емких сборок 12-Hi HBM в краткосрочной перспективе, так как инженерам необходимо сосредоточиться на исправлении текущих дефектов.
Перспективы CXMT на рынке HBM
Несмотря на текущие неудачи, аналитики призывают не делать поспешных выводов о провале инициативы CXMT. Опыт конкурентов показывает, что показатели выхода годной продукции могут быстро расти при должной оптимизации процессов. Например, в феврале 2026 года Samsung сообщала о 60% выходе для HBM4, однако всего через полгода этот показатель достиг 80%. У CXMT сохраняется потенциал для совершенствования технологии, подтверждением чему служат достижения компании в сегменте планарной DRAM: там выход годных изделий уже составляет 90%, что лишь на 2–3% ниже показателей Samsung на 10-нм техпроцессах для производства DDR5.
Тем не менее, разрыв между CXMT и основными игроками рынка остается существенным. В то время как компания только начинает рисковое производство HBM3E, Samsung, SK Hynix и Micron уже перешли к этапу тестирования образцов HBM4E, опережая китайского производителя на два поколения. Освоение стекирования DRAM с использованием TSV требует специфической экспертизы, поэтому до начала полноценного серийного производства CXMT потребуется еще несколько месяцев интенсивной доработки технологических процессов.
Технологические нюансы производства и перспективы развития
Сложность ситуации заключается в том, что CXMT приходится преодолевать разрыв не только в архитектурном плане, но и в методологии сборки. Важно подчеркнуть, что создание многослойных стеков HBM требует принципиально иного подхода к межсоединениям, чем привычная планарная DRAM, в которой китайская компания уже достигла зрелых результатов. Хотя 90% выход годной продукции в сегменте обычной DRAM является серьезным достижением, сопоставимым с показателями Samsung на 10-нм классе для DDR5, масштабирование этого успеха на HBM сталкивается с барьером «незрелости» технологии TSV.
Сравнение подходов к организации TSV наглядно демонстрирует масштаб инженерной задачи, стоящей перед CXMT:
- Samsung (HBM2): ~5 000 TSV на слой;
- SK Hynix (HBM3): более 8 000 TSV на слой;
- CXMT (HBM3E): попытка реализации с 3 000 TSV на слой.
Очевидно, что попытка использовать меньшее количество соединений для 8-слойной (8-Hi) конфигурации может быть продиктована стремлением упростить техпроцесс, однако текущие показатели (25% выхода) свидетельствуют о том, что выбранная стратегия требует значительной корректировки. До тех пор, пока эти инженерные сложности не будут устранены, переход к более сложным конфигурациям, таким как 12-Hi HBM, остается практически невозможным.
Тем не менее, отраслевая практика показывает, что резкое повышение эффективности возможно. Показательным примером является опыт Samsung, которой удалось поднять выход годных кристаллов HBM4 с 60% в феврале до 80% всего за шесть месяцев. Этот кейс подтверждает, что, несмотря на отставание от лидеров индустрии, уже осваивающих HBM4E, у CXMT остается пространство для оптимизации. Для полноценного старта серийного выпуска HBM3E китайскому гиганту потребуется еще несколько месяцев напряженной работы по отладке процессов, требующих глубокой экспертизы в области многослойного стекирования.
