Samsung Electronics и SK Hynix в 2025 году значительно нарастили капиталовложения в свои китайские производственные площадки. Компании стремятся оперативно увеличить выпуск микросхем DRAM и NAND, пытаясь покрыть глобальный дефицит, спровоцированный бурным развитием сферы ИИ-вычислений. Однако стратегия расширения сталкивается с серьезными преградами: от ужесточения экспортных ограничений со стороны США до появления новых программных алгоритмов, снижающих потребность в больших объемах памяти.
Инвестиции в китайское производство
Компания Samsung Electronics направила в свой завод в Сиане 308,8 млн долларов, что на 67,5% превышает показатели предыдущего периода. Сианьская площадка играет ключевую роль, обеспечивая около 40% общего объема производства чипов NAND для корпорации. После паузы в инвестициях в 2020–2023 годах, в 2024 году компания начала возвращаться к финансированию, выделив 184,1 млн долларов, а текущие вложения стали новым этапом развития объекта.
SK Hynix также демонстрирует высокую активность: инвестиции в предприятие в Уси составили 385,1 млн долларов, а в завод в Даляне — 292 млн долларов. Это означает рост вложений в Уси на 102% в годовом исчислении, а в Далянь — на 52% по сравнению с 2024 годом. Предприятие в Уси отвечает за выпуск более 30% всех чипов DRAM компании, тогда как завод в Даляне является производственной базой для NAND. Примечательно, что в 2023 году финансирование этих активов практически отсутствовало.
Мнение экспертов и рыночный прогноз
Бывший исполнительный вице-президент Samsung Electronics и научный сотрудник Института Седжона Ли Бён-чхоль подчеркивает, что выбор в пользу расширения существующих мощностей продиктован экономией времени. Строительство нового предприятия с нуля требует от трех до пяти лет, тогда как модернизация уже работающих заводов позволяет нарастить выпуск продукции в кратчайшие сроки.
Аналитики предупреждают, что ситуация на рынке остается напряженной. Трой Стангароне из Института стратегии и технологий Карнеги — Меллона отмечает, что предложение чипов DRAM и NAND на 2026 год фактически уже исчерпано. Специалисты Goldman Sachs пересмотрели прогнозы дефицита DRAM на 2026 год, повысив показатель до 4,9% от совокупного спроса (против прежних 3,3%), что предвещает самый острый кризис поставок за последние 15 лет. Ожидаемый дефицит NAND также был скорректирован до 4,2%.
Геополитика и технологические риски
Китай остается для корейских гигантов не только производственным узлом, но и важнейшим рынком сбыта, учитывая его доминирующую долю в производстве смартфонов и ПК. Официальный Пекин активно призывает руководство компаний к углублению сотрудничества. На недавней встрече глава Государственного комитета по делам развития и реформ Китая (NDRC) Чжэн Шаньцзе призвал председателя Samsung Ли Джэ Ёна расширять инвестиционную деятельность в стране. Ли Джэ Ён подтвердил, что Китай остается неотъемлемой частью долгосрочной стратегии Samsung.
Главным камнем преткновения остается экспортный контроль США. Если раньше Samsung и SK Hynix могли свободно импортировать американское оборудование благодаря статусу Verified End User, то с августа 2025 года этот режим был отменен. Теперь для поставок оборудования в Китай компаниям необходимо ежегодно запрашивать индивидуальные разрешения.
Дополнительную нестабильность вносит прогресс в области ПО. Недавнее заявление Google о разработке алгоритма Turbo Quant, способного сократить требования к объему памяти в шесть раз, привело к падению акций многих производителей микросхем. Ли Бён-чхоль отмечает, что в условиях растущего геополитического давления и изменения технологического ландшафта южнокорейским игрокам придется балансировать между текущей выгодой и необходимостью пересмотра долгосрочных планов присутствия в Китае.
