Компания Samsung Electronics планирует к 2030 году запустить в серийное производство «техпроцесс мечты» — 1-нанометровую литографию. Согласно данным издания Korea Economic Daily, ссылающегося на отраслевые источники, этот шаг рассматривается как ключевое преимущество в жесткой технологической борьбе с TSMC и способ кардинально укрепить позиции Samsung на рынке передовых полупроводников.
Основой нового техпроцесса станет инновационная архитектура под названием forksheet. В то время как текущие 2-нм решения южнокорейского гиганта базируются на транзисторах с архитектурой GAA (Gate-All-Around), переход к 1-нм потребует более радикальных изменений. Суть технологии forksheet заключается в установке специальных электрически изолирующих стенок между транзисторными структурами. Это инженерное решение позволит добиться более плотной компоновки элементов на кристалле, существенно увеличивая общее число транзисторов без расширения площади чипа.
Развитие текущих 2-нм мощностей
Параллельно с разработкой 1-нм техпроцесса Samsung форсирует совершенствование 2-нанометрового производства. Компания активно работает над расширением линейки решений:
- SF2T: специализированный 2-нм процесс, предназначенный для SoC Tesla AI6. Массовый выпуск этих чипов запланирован на 2027 год на производственной площадке Samsung в Тейлоре, США.
- SF2P: версия техпроцесса, внедрение которой в мобильные процессоры нового поколения стартует уже в текущем году.
- SF2P+: улучшенная итерация 2-нм техпроцесса, запланированная к запуску в следующем году.
На текущий момент представители отрасли отмечают значительный прогресс в качестве выпускаемой продукции: показатель выхода годных кристаллов при использовании текущего 2-нанометрового процесса Samsung уже преодолел отметку в 60%.
