Домой Новости Железо Samsung заявила, что первой начала поставки образцов передовой памяти типа HBM4E

Samsung заявила, что первой начала поставки образцов передовой памяти типа HBM4E

Южнокорейский гигант делает ставку на HBM4E, чтобы сократить отставание от SK hynix в сегменте высокопроизводительной памяти для ИИ-вычислений.

На рынке памяти стандартов HBM3 и HBM3E компания Samsung Electronics заметно уступила своему главному конкуренту — SK hynix. Стремясь сократить этот разрыв, гигант индустрии сосредоточил основные ресурсы на разработке решений нового поколения. На этой неделе Samsung официально объявила, что первой среди производителей приступила к поставкам образцов передовой 12-слойной памяти типа HBM4E.

Samsung заявила, что первой начала поставки образцов передовой памяти типа HBM4E
Samsung заявила, что первой начала поставки образцов передовой памяти типа HBM4E — иллюстрация к материалу. Источник: 3dnews.ru

В официальном пресс-релизе компания также напомнила, что в текущем году уже отчиталась о запуске серийного производства HBM4, однако список ключевых клиентов остался закрытым. По заявлениям представителей Samsung, текущие образцы HBM4E обеспечивают стабильную передачу данных на скорости 14 Гбит/с, а в будущем этот показатель планируется увеличить до 16 Гбит/с. Такая пропускная способность более чем на 20% превышает возможности HBM4, при этом совокупная скорость передачи информации в стеке HBM4E достигает внушительных 3,6 Тбайт/с.

Технические характеристики и возможности HBM4E

Новый 12-слойный стек HBM4E обладает ёмкостью 48 Гбайт, что на 30% выше показателей памяти предыдущего поколения. В перспективе Samsung намерена расширить линейку, предложив клиентам 8-слойные стеки объёмом 32 Гбайт и 16-слойные решения ёмкостью 64 Гбайт.

Для производства кристаллов DRAM в составе HBM4E компания задействует 6-е поколение 10-нм техпроцесса (1c). Базовые кристаллы при этом будут выпускаться собственным контрактным подразделением Samsung с использованием 4-нм техпроцесса. Оптимизация архитектуры и технологий упаковки позволила добиться существенного прогресса: энергетическая эффективность новинки выросла на 16%, а тепловые характеристики улучшились более чем на 14% по сравнению с предшественниками.

График массовых поставок HBM4E будет определяться по мере согласования с клиентами. Компания подчеркивает, что заказчики уже выразили удовлетворение качеством микросхем HBM4, массовые отгрузки которых начались ещё в феврале.

Рыночная реакция и конкуренция

Анонс поставок HBM4E позитивно отразился на биржевых показателях компании: курс акций Samsung на фоне новости вырос на 6,51%. Основной конкурент, компания SK hynix, ранее заявляла о планах начать поставки образцов HBM4E во второй половине текущего года, при этом выход на стадию массового производства у них запланирован на 2027 год.

Источник: https://3dnews.ru