Компания SK hynix анонсировала инновационное решение iHBM, которое предполагает интеграцию охлаждающих элементов ICE непосредственно в корпус микросхем памяти HBM следующего поколения.
По мере развития технологий высокоскоростной памяти HBM и увеличения количества кристальных слоев, задача отвода тепла становится критически важной. Стабильное функционирование систем искусственного интеллекта напрямую зависит от плотности мощности на интерфейсе D2D (Die-to-Die Physical Layer), соединяющем память с графическим процессором. Эффективный контроль температуры в этой зоне является определяющим фактором конкурентоспособности перспективных модулей памяти.
В проекте iHBM инженеры SK hynix отказались от традиционного подхода, при котором тепло отводится косвенно через ядро кристалла. Новая схема предполагает размещение охлаждающих компонентов ICE прямо в области D2D PHY, где наблюдается максимальная концентрация тепла. Создание прямого пути для рассеивания энергии позволяет снизить тепловое сопротивление на 30%, что гарантирует стабильность чипов в условиях высоких рабочих нагрузок.
Технология разработана с прицелом на массовое производство. Использование процесса корпусирования на уровне пластин (Wafer Level Packaging) с применением метода MR-MUF (Mass Reflow Molded Underfill) обеспечит стабильный выпуск больших партий продукции. Решение отличается высокой совместимостью с актуальными архитектурами System-in-Package (SiP), что позволит партнерам компании внедрять iHBM с минимальными корректировками в конструкции оборудования. Планируется, что данная технология станет фундаментом для архитектуры памяти HBM5.
