TSMC ускоряет реализацию своих планов по освоению передового 1,4-нм техпроцесса, известного как A14. Строительство нового производственного комплекса в Центральном научном парке Тайваня идет с опережением графика: завершение возведения первого здания ожидается до апреля 2027 года. Запуск опытных линий запланирован на начало третьего квартала 2027-го, а старт серийного производства продукции намечен на середину 2028 года.
Структура и перспективы «Фабрики №25»
Производственная площадка, получившая внутреннее кодовое обозначение «Фабрика №25», будет состоять из четырех корпусов. На данный момент подрядчики уже ведут монтаж стальных конструкций для двух первых зданий. Специализация первых двух очередей — техпроцесс A14. Однако проект предусматривает гибкость: две последующие очереди могут быть адаптированы для выпуска чипов по еще более совершенной 1-нм технологии.
_large.png)
Технические преимущества техпроцесса A14
В основе A14 лежат транзисторы типа GAA (Gate-all-around) второго поколения. По сравнению с текущим 2-нм техпроцессом N2, новая технология обеспечивает значительный прирост характеристик:
- Повышение производительности на 10–15%;
- Снижение энергопотребления на 25–30%;
- Увеличение плотности транзисторов на 20–23%.
Стоит отметить, что первая итерация техпроцесса не получит систему подачи питания с обратной стороны кристалла (BSPDN). Более продвинутая версия, A14P с поддержкой этой технологии, ожидается не ранее 2029 года. Масштаб проекта впечатляет: общий объем инвестиций в строительство оценивается в 49 млрд долларов, а запуск комплекса позволит создать до 10 000 рабочих мест.
Конкуренция с Samsung
Успехи TSMC выглядят особенно ярко на контрасте с действиями основного конкурента. Samsung Electronics недавно приняла решение отложить массовое производство собственных 1,4-нм чипов с 2027 на 2029 год. В текущих условиях компания сфокусировала свои ресурсы на доработке 2-нм техпроцесса, что, по мнению отраслевых экспертов, может существенно упрочить лидерские позиции TSMC в сегменте передовой полупроводниковой литографии.






