Перспективы стандарта HBM4E
Память типа HBM, состоящая из множества вертикальных слоев, на текущий момент является одним из самых скоростных решений, однако её производство отличается высокой сложностью и себестоимостью. Согласно отраслевым данным, организация JEDEC планирует смягчить требования к габаритам стека HBM4E, чтобы упростить технологические процессы для производителей памяти.
Технические параметры и высота стека
Как сообщает издание Business Korea, текущий стандарт JEDEC ограничивает высоту стека HBM3E отметкой 720 мкм, а для следующего поколения HBM4 установлен лимит в 775 мкм. В случае с HBM4E ожидается существенное увеличение допуска: максимальная высота стека может быть расширена до 900 мкм. Это позволит увеличить количество ярусов в стеке, что напрямую отразится на итоговой емкости памяти. Стоит отметить, что текущие чипы HBM3E используют до 12 ярусов, при этом индустрия уже располагает прототипами с 16 ярусами (HBM3E и HBM4).
Преимущества и риски изменений
Смягчение стандартов несет в себе несколько значимых преимуществ:
- Сохранение производственных мощностей: Использование текущих методов упаковки (термокомпрессионное формирование связей) позволит избежать перехода на сложную технологию гибридных связей, которая пока страдает от нестабильного качества. Это обеспечит экономию на оборудовании и исключит производственные задержки.
- Оптимизация себестоимости: Снижение требований к сложности сборки поможет сократить процент брака и увеличить выход годной продукции, что в конечном счете должно привести к удешевлению чипов.
Несмотря на технологические плюсы, у данных изменений есть и скептики. Ведущие южнокорейские игроки, такие как Samsung и SK hynix, уже освоили выпуск продукции, превышающей текущие стандарты JEDEC. Существует опасение, что «либерализация» требований откроет рынок для новых игроков, включая китайских конкурентов, которым станет проще конкурировать с лидерами отрасли.
