Перспективы 2-нм производства в Техасе
Компания Samsung активно совершенствует свои передовые технологические процессы. Согласно сообщениям южнокорейских СМИ, производитель готовится к запуску пробного выпуска 2-нм чипов с использованием технологии GAA (Gate-All-Around) на своем заводе в Тейлоре, штат Техас. Изначально площадка проектировалась под 4-нм нормы, но в конечном итоге будет перепрофилирована для производства более современных CPU и SoC. На текущий момент компания достигла уровня выхода годных кристаллов около 60%, что стало решающим фактором для ускорения реализации проекта.
Этот стратегический шаг способен укрепить позиции Samsung на американском рынке, где возможности TSMC по локализации самых передовых технологий на данный момент остаются более ограниченными.
Подготовка мощностей и сотрудничество с ASML
Издание Edaily сообщает, что отдельные зоны завода уже получили временное разрешение на эксплуатацию (Temporary Certificate of Occupancy, TCO). Это позволяет привлечь на объект инженерные кадры для ускоренного монтажа и настройки оборудования. Стоит отметить, что в реализации масштабного проекта задействовано более 7000 специалистов.
Ключевым партнером в подготовке линии выступает компания ASML. Нидерландский поставщик систем EUV-литографии уже направил своих специалистов на площадку для совместной работы с Samsung по развертыванию инфраструктуры, необходимой для массового выпуска 2-нм GAA-чипов.
Планы по выходу на рынок
Если этап тестового производства завершится успешно, полноценные операции на предприятии в Тейлоре могут стартовать в 2026 году, а достижение проектных мощностей запланировано на 2027 год.
Samsung рассчитывает привлечь к сотрудничеству американских гигантов. В числе потенциальных заказчиков называют компанию Tesla, а также крупных провайдеров облачных сервисов. Учитывая высокую загрузку производственных мощностей TSMC, особенно в 3-нм секторе, Samsung имеет все шансы стать востребованной альтернативой для клиентов, нуждающихся в передовых полупроводниковых решениях.
