SK hynix расширяет производство HBM в США и Южной Корее

Южнокорейская компания SK hynix подтвердила статус лидера рынка памяти стандарта HBM3E, хотя Samsung Electronics продолжает удерживать мировое первенство по общему объему производства чипов памяти. Чтобы сохранить доминирующие позиции в высокодоходном сегменте решений для ИИ, SK hynix инвестирует в строительство новых мощностей по тестированию и упаковке полупроводников в США и Южной Корее.

Согласно данным агентства Reuters, компания приступает к реализации двух масштабных проектов. В родной Южной Корее строительство предприятия по тестированию и упаковке памяти начнется уже в текущем месяце. Общий объем инвестиций в этот проект оценивается в 12,85 млрд долларов, а завершение строительных работ намечено на конец 2026 года.

Параллельно развивается проект в США. В штате Индиана SK hynix уже приступила к закладке фундамента завода, о планах на создание которого было объявлено еще в 2024 году. Американское предприятие планирует выйти на полноценный производственный цикл во второй половине 2028 года. Ожидается, что к этому моменту площадка будет адаптирована для работы с перспективными типами памяти, включая HBM4E и HBM5.

На площадке в Индиане уже ведутся подготовительные работы: подрядчики начали забивать сваи. Ожидается, что возведение основных конструкций — стен и кровли — начнется во второй половине текущего года. Бюджет проекта составляет 3,87 млрд долларов, однако эта цифра может быть пересмотрена в сторону увеличения при необходимости расширения мощностей.

Одновременно с этим SK hynix наращивает объемы выпуска DRAM на домашних производственных линиях. На заводе Fab M15X завершено расширение мощностей, и в новом корпусе идет установка оборудования для запуска опытного производства в мае. Кроме того, к февралю будущего года планируется завершение строительства первого предприятия в новом промышленном комплексе в Йонъине. Стратегия компании предполагает активное внедрение EUV-литографии: в ближайшем будущем на линиях SK hynix будет задействовано до 20 литографических систем этого типа.