Компания Samsung, мировой лидер в производстве полупроводников, представила первый в индустрии прототип флеш-чипа 3D NAND, насчитывающий 900 слоев. Об этом сообщает корейское издание ETNews. Разработка направлена на укрепление позиций компании на рынке высокоемких накопителей.
Для реализации столь амбициозного проекта инженеры Samsung задействовали передовую технологию Cell Multi-Bonding (CMB). Этот метод позволил объединить две пластины по 450 слоев в единый кристалл. Увеличение количества слоев в структуре флеш-памяти позволяет значительно повысить плотность записи данных при одновременном снижении энергопотребления. Подобные характеристики критически важны для современных вычислительных систем, работающих с задачами искусственного интеллекта.
Конкуренция в сегменте NAND
На текущий момент основным игроком в этой гонке считалась компания SK hynix, уже имеющая в своем портфеле 321-слойные микросхемы. Однако достижение Samsung демонстрирует готовность компании к рывку: производитель параллельно ведет подготовку к массовому выпуску 400-слойных решений, параллельно исследуя возможности масштабирования до 900 слоев.
Напомним, что Samsung первой в мире коммерциализировала технологию 3D V-NAND в 2013 году. Изначально процесс производства полагался на одноэтапное сверление и укладку, но с ростом высоты стека компания столкнулась с техническими барьерами, такими как деформация кремниевых пластин и неизбежное смещение слоев. Для преодоления этих проблем были внедрены технологии верхнего зажима и специализированная система коррекции наложения, позволившие выйти на новые уровни плотности.
Рыночный контекст и игроки
Темпы развития отрасли подстегивает активная деятельность китайской компании Yangtze Memory Technologies Co. (YMTC), которая уже запустила серийный выпуск 294-слойных чипов NAND. Успех YMTC обусловлен значительными государственными инвестициями и локализацией производственных цепочек. На фоне усиливающейся конкуренции Samsung вынуждена форсировать внедрение инноваций, чтобы сохранять технологическое лидерство в долгосрочной перспективе.
