Компания Samsung официально сообщила о начале поставок первых в индустрии образцов 12-слойной памяти стандарта HBM4E для своих ключевых глобальных партнеров. Данный продукт стал логичным продолжением линейки после того, как в начале года Samsung первой на рынке успешно наладила массовое производство и коммерческие отгрузки чипов HBM4.
Разработчики Samsung подчеркивают, что архитектура HBM4E создана специально для критических задач, связанных с функционированием мощных систем искусственного интеллекта и обучением современных больших языковых моделей. Память нового стандарта обеспечивает стабильную скорость передачи данных на уровне 14 Гбит/с с возможностью дальнейшего масштабирования до 16 Гбит/с, при этом итоговая пропускная способность достигает впечатляющих 3,6 ТБ/с в расчете на один стек.
На текущем этапе представлена 12-слойная конфигурация с общим объемом 48 ГБ, что превышает показатели предыдущего поколения памяти более чем на 30%. В перспективе Samsung намерена значительно расширить ассортимент, предложив рынку варианты с объемом 32 ГБ и 64 ГБ.
Благодаря глубокой оптимизации внутренней архитектуры и технологий корпусировки, инженерам компании удалось добиться существенных улучшений в физических параметрах продукта:
- Энергоэффективность возросла на 16%.
- Тепловые характеристики улучшены более чем на 14% по сравнению с предшествующим поколением.
Переход к полноценному массовому производству памяти HBM4E запланирован сразу после завершения цикла тестовых поставок, строго в соответствии с графиками, согласованными с заказчиками.
