Минпромторг России успешно взыскал с Научно-исследовательского института системных исследований РАН (НИИСИ), который входит в состав НИЦ «Курчатовский институт», неустойку в размере 110,4 млн рублей. Причиной штрафных санкций стал существенный срыв сроков выполнения опытно-конструкторских работ, направленных на создание отечественных микросхем.
Согласно данным, опубликованным на портале госзакупок, договор между ведомством и институтом был подписан в ноябре 2017 года. Сумма контракта составляла 544,6 млн рублей, а все работы должны были завершиться к ноябрю 2019 года. Однако на практике проект сдали лишь в августе 2020 года, допустив задержку в 285 дней.
Техническое задание проекта включало разработку двух типов специализированных полупроводниковых компонентов:
- маршрутизатора высокоскоростного интерфейса RapidIO;
- контроллера RAID-массивов большой ёмкости.
Данные разработки планировались как российская альтернатива импортным чипам, производимым компаниями Intel, Broadcom, Marvell и IDT (Renesas). Инициатива преследовала цели импортозамещения, чтобы обеспечить критические системы хранения данных и высокоскоростной коммутации отечественной компонентной базой.
На текущий момент причины срыва сроков официально не разглашаются. Также остается открытым вопрос о том, было ли в конечном итоге запущено серийное производство спроектированных микросхем.
