Японская компания Kioxia официально объявила о начале поставок инженерных образцов своей новейшей памяти типа TLC плотностью 1 Тбит. Чипы выполнены с использованием 332-слойной компоновки, что стало десятым поколением фирменной технологии BiCS Flash. Разработчик подчеркивает, что данная память обеспечивает существенный прирост плотности хранения данных и быстродействия, а основным вектором её применения станут накопители серверного класса.

Архитектура новых чипов базируется на уже проверенных технологиях CBA и OPS, аналогичных тем, что использовались в восьмом поколении памяти. При этом показатели производительности заметно возросли: пропускная способность достигла 4,8 Гбит/с, что на треть выше характеристик предшественников. Благодаря 332-слойной структуре, плотность хранения информации в удельном выражении увеличилась на 59%. Особое внимание уделено энергоэффективности: расход энергии при операциях чтения снижен на 30%, а при записи — на 18%. Эти параметры критически важны для современных дата-центров, которые сталкиваются с постоянным ростом энергопотребления инфраструктуры.
Производство передовой памяти Kioxia планирует развернуть на своей новой фабрике в префектуре Иватэ, запущенной в сентябре прошлого года. Информация о поставках тестовых образцов оказала поддержку котировкам компании: на торгах в Токио акции производителя выросли на 8,9%.
В отличие от своих конкурентов, таких как Samsung и SK hynix, которые могут нивелировать колебания рынка за счет доходов от DRAM и HBM, бизнес Kioxia почти целиком сосредоточен на памяти NAND. Это вынуждает компанию поддерживать высокий темп инноваций. В минувшем году Kioxia удерживала около 10% мирового рынка NAND для серверных систем, в то время как доли Samsung и SK hynix составляли 40% и 30% соответственно. Тем не менее, по показателю скорости передачи данных новинка от Kioxia превосходит текущие предложения южнокорейских гигантов, что дает японскому производителю стратегическое преимущество в борьбе за долю рынка.





%20copy_large.jpg)