Домой Новости Железо Микросхемы без «перепаек»: представлена платформа для проектирования чипов на нитриде галлия

Микросхемы без «перепаек»: представлена платформа для проектирования чипов на нитриде галлия

Новое решение для проектирования радиочастотных микросхем на базе нитрида галлия позволяет исключить дорогостоящие доработки и ускорить выход изделий на рынок.

Компании Keysight Technologies и тайваньский производитель полупроводников WIN Semiconductors анонсировали совместную платформу, предназначенную для высокоточного проектирования радиочастотных микросхем на основе нитрида галлия (GaN). Новое решение призвано обеспечить «бесшовный» переход от виртуальной модели к физическому изделию, исключая необходимость дорогостоящих доработок и повторных циклов производства.

Микросхемы без «перепаек»: представлена платформа для проектирования чипов на нитриде галлия
Микросхемы без «перепаек»: представлена платформа для проектирования чипов на нитриде галлия — иллюстрация к материалу. Источник: ixbt.com

В основе платформы лежит глубокая интеграция инструментов моделирования. Она объединяет в единую экосистему средства трехмерного анализа топологии, проектирование печатных плат и разработку тестовых модулей. Система тесно взаимодействует с набором средств проектирования (PDK) WIN NP 120P и программным комплексом Keysight Advanced Design System (ADS), ставшим индустриальным стандартом в сфере высокочастотной электроники.

Преимущества для разработчиков полупроводников

Основная проблема при создании сложных чипов заключается в высокой стоимости ошибки. Если после выпуска тестовой партии обнаруживаются дефекты кристалла, разработчики вынуждены отправлять проект на переделку, что растягивает сроки вывода продукта на рынок на недели и влечет за собой существенные финансовые потери.

Представленная платформа позволяет радикально изменить этот процесс. Она дает возможность инженерам проводить комплексное моделирование поведения системы, учитывая взаимодействие всех уровней: непосредственно кристалла, его корпуса, печатной платы и конечного измерительного оборудования. Подобный подход гарантирует, что устройство будет корректно работать в условиях, максимально приближенных к реальности, еще до того, как первая партия сойдет с конвейера.

Перспективы рынка GaN-микросхем

Новое решение прежде всего заинтересует разработчиков, специализирующихся на создании высокочастотных компонентов для современного телекоммуникационного оборудования. Технологии на базе нитрида галлия сегодня критически важны для:

  • Развития инфраструктуры базовых станций 5G;
  • Создания высокопроизводительного оборудования Wi-Fi;
  • Систем спутниковой связи;
  • Спектра решений для радиолокации.

По прогнозам экспертов, спрос на подобные компоненты будет только расти. Ожидается, что к 2031 году мировой рынок радиочастотных GaN-микросхем может достигнуть объема в 2,77 млрд долларов, что делает автоматизацию и точность их проектирования приоритетной задачей для отрасли.

Источник: https://www.ixbt.com