Компания SK hynix ускорила работу над DRAM с 3D-компоновкой, которая размещается непосредственно поверх логического кристалла (3D-Stacked DRAM-on-Logic). Решение ориентировано на оборудование следующего поколения для задач искусственного интеллекта, включая мобильные устройства. Для реализации проекта южнокорейский чипмейкер начал массовый наем профильных инженеров в свой американский филиал в Сан-Хосе. Как сообщает ZDNet, SK hynix уже подписала контракт с крупным клиентом на разработку кастомных решений на базе этой технологии.
Начало активного найма персонала эксперты расценивают как подготовку к выводу технологии на коммерческий рынок. Согласно описанию вакансий, основная задача специалистов заключается в тесном взаимодействии с американским заказчиком для вертикальной интеграции DRAM в структуру системы на кристалле. В отличие от традиционной компоновки по методу Package-on-Package (PoP), новая архитектура обеспечивает более короткие пути для передачи сигналов и значительно увеличивает количество каналов ввода-вывода при сохранении габаритов. Это позволяет радикально снизить задержки, повысить энергоэффективность и рациональнее распорядиться доступным пространством внутри устройства.
Зачем нужна 3D-компоновка памяти
Современные системы ИИ предъявляют жесткие требования к пропускной способности памяти и энергопотреблению, в которых возможности классических схем PoP близки к пределу. Технология 3D-Stacked DRAM-on-Logic считается особенно перспективной для мобильных процессоров, где борьба идет за каждый миллиметр площади и ватт энергии. Вероятно, именно такие компании, как Apple и Qualcomm, выступят ключевыми потребителями данных разработок.
Текущие работы SK hynix полностью соответствуют дорожной карте, представленной на технологическом симпозиуме TSMC. Президент и директор по развитию SK hynix Хён Ан подчеркнул, что текущие ограничения памяти тормозят прогресс в сфере ИИ, поэтому индустрии нужны принципиально новые архитектуры. В сотрудничестве с TSMC компания намерена использовать передовые логические техпроцессы для создания базовых кристаллов HBM4, развивать стандарт высокоскоростной флеш-памяти и внедрять 3D-интеграцию памяти с логикой.
Конкуренция с Samsung
В этом направлении SK hynix не одинока. Конкурирующая Samsung также ведет активные исследования 3D DRAM нового поколения. Недавно компания совместно с imec, KU Leuven и Lam Research представила научную работу, посвященную архитектуре монолитной 3D DRAM, использующей каналы на оксидах полупроводников. На данный момент разработка Samsung находится на этапе теоретического моделирования, и конкретных планов по выпуску коммерческих продуктов компания пока не озвучила.
