Компания Samsung готовится расширить ассортимент твердотельных накопителей, выпустив новую модель под названием Samsung 990. Устройство, поддерживающее интерфейс PCIe 4.0 NVMe, не относится к флагманским линейкам EVO или PRO. Информацию о новинке с вариантами объема 1 и 2 Тбайт удалось обнаружить в канадском разделе сайта производителя, хотя вскоре страницы с данными были удалены.
Техническая реализация накопителя предполагает отказ от традиционного DRAM-буфера в пользу технологии HMB (Host Memory Buffer). В основе устройства лежат фирменные чипы 3D V-NAND и собственный контроллер Samsung.
Технические характеристики и производительность
Производительность Samsung 990 варьируется в зависимости от объема:
- Версия на 1 Тбайт: скорость чтения составляет до 7150 Мбайт/с, скорость записи — до 6450 Мбайт/с.
- Версия на 2 Тбайт: обеспечивает скорость чтения до 7250 Мбайт/с, скорость записи — до 6450 Мбайт/с.
Для накопителя объемом 2 Тбайт заявлено до 850 000 операций чтения (IOPS) и до 1 200 000 операций записи в секунду при произвольном доступе.
Надежность и позиционирование
По своим характеристикам выносливости новая модель уступает представителям серии Samsung 990 PRO. Для обоих накопителей установлена гарантия сроком на три года:
- Модель 1 Тбайт: лимит перезаписи (TBW) составляет 400 Тбайт.
- Модель 2 Тбайт: лимит перезаписи (TBW) составляет 800 Тбайт.
Ряд реселлеров уже успел классифицировать новинку как NVMe-накопитель начального уровня. На текущий момент компания Samsung не раскрыла официальную стоимость и точную дату начала продаж Samsung 990.
