Для Samsung Electronics критически важно закрепиться на рынке памяти HBM4E, своевременно предоставив ключевым заказчикам образцы продукции, соответствующие всем строгим техническим требованиям. Компания планирует получить первые функциональные экземпляры HBM4E уже в следующем месяце, что позволит ей опередить собственный производственный график.
Конструкция модулей HBM4E опирается на использование логического кристалла, который служит фундаментом для стека микросхем DRAM. В производственной экосистеме Samsung выпуском логических кристаллов займется профильное контрактное подразделение компании; готовые компоненты ожидаются к середине мая. После прохождения внутреннего тестирования Samsung направит образцы на квалификационную оценку специалистам Nvidia.
Технические особенности и стратегия производства
Напомним, что Samsung уже демонстрировала прототипы HBM4E в марте 2026 года в рамках конференции GTC 2026. Однако эксперты сходятся во мнении, что те демонстрационные образцы не являлись функциональными устройствами. Ранее Samsung также первой среди крупнейших игроков отрасли отчиталась о начале поставок памяти стандарта HBM4, которая выйдет на рынок раньше версии HBM4E.
Согласно производственным планам, корейский гигант намерен использовать 4-нм техпроцесс для создания базового кристалла HBM4E, тогда как для самих чипов DRAM в стеке будет задействован 10-нм техпроцесс шестого поколения (1c). Именно использование 1c-технологии должно обеспечить Samsung весомое преимущество над основными конкурентами. Стоит отметить, что 4-нм техпроцесс компания начнет внедрять при производстве логики еще на этапе выпуска HBM4.
Конкуренция с SK hynix
Основной конкурент в лице SK hynix придерживается иной стратегии, полагаясь на производственные мощности TSMC. Для выпуска HBM4 компания планирует сочетать 12-нм техпроцесс для базового кристалла и 10-нм техпроцесс пятого поколения (1b) для DRAM-стеков. Ожидается, что при переходе к HBM4E базовые кристаллы для SK hynix будут выпускаться специалистами TSMC уже по более совершенной 3-нм технологии.
Текущая ситуация на рынке также обусловлена графиками Nvidia: по имеющимся сведениям, выпуск ускорителей поколений Vera Rubin и Rubin Ultra, которые станут основными потребителями HBM4 и HBM4E, несколько сместился. Несмотря на общую задержку в освоении массового производства памяти данных типов, Samsung демонстрирует решимость не уступать лидерские позиции в технологической гонке.
