Японская компания SAIMEMORY, основанная SoftBank при участии Intel, объявила о получении государственной поддержки для разработки перспективной памяти ZAM. Проект был отобран правительственным агентством NEDO в рамках программы Post-5G Infrastructure Enhancement R&D Project, что позволит частично покрыть расходы на внедрение инновационной технологии.
Технология ZAM (Z-Angle Memory) позиционируется как потенциальная альтернатива актуальному стандарту HBM, применяемому сегодня в ускорителях для систем искусственного интеллекта и серверных мощностях дата-центров. Архитектура ZAM основана на вертикальном расположении слоев с уникальной компоновкой. По заявлению разработчиков, такой подход обеспечивает улучшенный отвод тепла, повышенную плотность размещения данных и увеличенную пропускную способность. Кроме того, ожидается, что энергопотребление чипов ZAM будет примерно на 40% ниже, чем у классических решений HBM.
Решение проблемы «бутылочного горлышка» в ИИ
Интерес регуляторов и инвесторов к ZAM обусловлен острой нехваткой памяти на рынке высокопроизводительных вычислений. Несмотря на стремительное развитие графических процессоров, именно память остается главным ограничивающим фактором для масштабирования инфраструктуры ИИ. Текущий лидер рынка, стандарт HBM, отличается высокой себестоимостью, сложностью производственных циклов и ограниченным числом поставщиков. SAIMEMORY стремится предложить рынку более масштабируемую и экономически выгодную альтернативу.
Этапы реализации проекта
Разработка ZAM ведется уже несколько лет. Фундамент был заложен еще до создания SAIMEMORY в 2024 году, когда компания Intel активно исследовала технологии вертикальной памяти и методы соединения кристаллов. В настоящее время в число ключевых партнеров и инвесторов проекта также входят Fujitsu и Development Bank of Japan.
Согласно утвержденному плану при поддержке NEDO, программа исследований продлится около 3,5 лет. SAIMEMORY планирует направить в разработку порядка 8 млрд иен (около 55 млн долларов) до окончания 2027 финансового года. В долгосрочной перспективе компания нацелена на запуск массового производства памяти нового типа к 2029 году. В случае успеха проекта, архитектура ZAM может составить серьезную конкуренцию существующим решениям и существенно укрепить позиции Японии в мировой полупроводниковой индустрии.
