Компания Samsung расширяет свою линейку накопителей 990-й серии, готовя к выпуску нестандартную модель с интерфейсом PCIe 4.0 NVMe. Главным отличием новинки от старших решений в лице 990 EVO и 990 PRO станет отсутствие выделенного DRAM-кэша, что позволит сделать накопитель более доступным для широкого круга пользователей.
Вместо физического чипа DRAM в устройстве реализована технология HMB (Host Memory Buffer). Она позволяет накопителю использовать часть оперативной памяти самого компьютера для кэширования данных, необходимых для работы контроллера. Само «железо» представлено фирменным контроллером Samsung и памятью типа V-NAND.
Характеристики и производительность
На старте продаж линейка будет включать накопители объемом 1 ТБ и 2 ТБ. Несмотря на отсутствие аппаратного кэша, скоростные показатели остаются весьма достойными для сегмента PCIe 4.0:
| Характеристика | Модель 1 ТБ | Модель 2 ТБ |
|---|---|---|
| Скорость чтения (последовательная) | 7150 МБ/с | 7250 МБ/с |
| Скорость записи (последовательная) | 6450 МБ/с | 6450 МБ/с |
| Производительность чтения (IOPS) | 850 000 | 850 000 |
| Производительность записи (IOPS) | 1 200 000 | 1 200 000 |
Ресурс и гарантийные обязательства
Оптимизация конструкции повлияла на долговечность накопителя. Ресурс записи (TBW) для версии на 1 ТБ составляет 400 TBW, а для старшей модели на 2 ТБ — 800 TBW. Кроме того, производитель установил срок гарантийного обслуживания в 3 года, что меньше, чем у премиальных SSD серии 990 PRO.
Информация о новинке на некоторое время появилась на официальном сайте Samsung Canada, после чего была оперативно удалена. Дата официального анонса и рекомендованная розничная цена пока остаются в тайне, хотя карточки товара уже начали появляться в базах некоторых ретейлеров.
