Компания Samsung представила передовые технологические решения в области архитектуры памяти и систем хранения данных. Анонс состоялся в рамках отраслевой конференции Future of Memory and Storage (FMS), прошедшей в Санта-Кларе. Новые разработки южнокорейского гиганта призваны удовлетворить растущие потребности индустрии искусственного интеллекта и дата-центров, где требования к пропускной способности и энергоэффективности оборудования постоянно повышаются.
Новая архитектура zHBM для искусственного интеллекта
Одной из ключевых премьер стала концептуальная архитектура zHBM, развивающая идеи классической памяти HBM, используемой в серверных ИИ-ускорителях. Инженеры Samsung предложили радикальное изменение компоновки: вертикальное размещение блоков памяти непосредственно над вычислительным ядром процессора, что исключает традиционное соседнее расположение. По заявлениям разработчиков, такая архитектура позволяет увеличить общую производительность системы в восемь раз.
Дополнительно была представлена технология соединения пластин нового поколения. Она обеспечивает десятикратный прирост плотности размещения ячеек памяти по сравнению с текущим стандартом HBM5 при одновременном повышении энергоэффективности в три раза.
Память V10 BV-NAND и прогресс в SSD
Линейка накопителей получила значительное обновление с внедрением V10 BV-NAND. Технология использует архитектуру bonding V-NAND, что позволило производителю преодолеть барьер в 400 слоев ячеек в одном чипе. В сравнении с предыдущим поколением V9, плотность хранения данных возросла на 58%, при этом существенно улучшились параметры скорости чтения, записи и операций ввода-вывода.
Для периферийных вычислений и систем ИИ компания подготовила решение zNAND-O, сочетающее оптимизированную работу с пространством и низкие показатели задержки. Еще одной важной новинкой стала LPDDR5X-PIM — первая в отрасли память типа LPDDR с интегрированной технологией обработки данных непосредственно внутри модуля (PIM), что значительно повышает общую эффективность вычислительных узлов.
Ситуация на рынке памяти
Вместе с конкурентом SK Hynix, компания Samsung занимает доминирующее положение на рынке полупроводников. Стремительное развитие нейросетевых технологий провоцирует стабильно высокий спрос, который текущие производственные мощности покрывают с трудом. В условиях дефицита комплектующих многие пользователи сталкиваются с повышением стоимости электроники, от смартфонов до игровых консолей, что также заставляет компании активнее инвестировать в сверхбыстрые накопители с интерфейсом PCIe 6.0, способные работать с большими объемами данных.
