Samsung Electronics приступает к масштабному расширению своего полупроводникового кластера во Вьетнаме. Как следует из документации, оказавшейся в распоряжении Reuters, компания инвестирует около 1,5 млрд долларов в строительство высокотехнологичного завода, специализирующегося на тестировании микросхем памяти. Новый производственный объект возводится в 60 км к северу от Ханоя, а запуск линий запланирован на конец 2027 года.
Значение нового предприятия для индустрии
Данный объект станет для Samsung первым предприятием такого профиля на территории Вьетнама. Основной задачей завода станет комплексное тестирование микросхем DRAM и NAND, которые находят применение в широком спектре устройств: от современных смартфонов и персональных компьютеров до высокотехнологичных автомобильных систем.
Стратегический шаг компании продиктован изменениями на мировом рынке. На фоне стремительного развития индустрии искусственного интеллекта многие производители перепрофилируют свои заводы под нужды ИИ-серверов. Это привело к возникновению локального дефицита чипов памяти общего назначения, который Samsung планирует компенсировать за счет новых мощностей.
Производственные показатели
Согласно проектной документации, завод выйдет на значительные объемы обработки продукции:
- Годовая мощность тестирования DRAM-памяти превысит 153 млрд гигабит.
- Пропускная способность для NAND-памяти составит более 255 млрд гигабит ежегодно.
Перспективы дальнейшего роста
Правительство Вьетнама официально одобрило проект еще весной текущего года, предоставив необходимые разрешения. Учитывая высокий спрос, Samsung уже прорабатывает сценарий дальнейшего масштабирования: компания рассматривает возможность реинвестирования полученной прибыли в строительство второго аналогичного предприятия, что увеличит общие вложения до 2,5 млрд долларов.
