Технологический прорыв: 321-слойная QLC NAND
Ключевым фактором развития современной памяти типа 3D NAND остается увеличение количества слоев, что позволяет наращивать плотность хранения данных и создавать более компактные, но при этом крайне емкие накопители. Компания SK hynix официально объявила о старте поставок своего нового продукта — твердотельного накопителя PQC21, построенного на базе передовой 321-слойной памяти 3D QLC NAND. На старте продаж устройство будет доступно в двух вариантах объема: 1 Тбайт и 2 Тбайт.
Оптимизация производительности с помощью SLC-кеширования
Для обеспечения высокого уровня быстродействия при чтении и записи данных в PQC21 применяется технология SLC-кеширования. Суть метода заключается в использовании части ячеек памяти в однобитном (SLC) режиме. Входящие данные сначала записываются в эту «быструю» область, а уже после переносятся в основной массив памяти. Как заявляют представители SK hynix, такой подход позволяет существенно повысить скорость записи по сравнению со стандартными QLC-накопителями.
Перспективы рынка и сотрудничество с Dell
Первые партии накопителей PQC21 начнут отгружаться в адрес Dell Technologies уже в текущем месяце; производитель планирует интегрировать их в свои будущие модели персональных компьютеров. В дальнейшем SK hynix намерена значительно расширить круг корпоративных клиентов.
Согласно прогнозам аналитиков IDC, которые приводит компания в своем пресс-релизе, сегмент клиентских SSD (cSSD) ожидает заметная трансформация: ожидается, что доля памяти QLC NAND в общем объеме поставок вырастет с 22% в 2025 году до 61% к 2027 году.
