Компания SK hynix официально объявила о начале поставок первым клиентам инженерных образцов памяти нового поколения HBM4E. Этот шаг стал важнейшим этапом в борьбе с конкурентами, в частности с Samsung Electronics, которая приступила к аналогичным отгрузкам еще в конце мая.
Согласно пресс-релизу производителя, поставки включают 12-ярусные микросхемы HBM4E. Ключевой особенностью новинки является высокая скорость передачи данных, достигающая 16 Гбит/с на один контакт. В производстве используется фирменная технология MR-MUF, которая позволила улучшить тепловое сопротивление на 17%, одновременно повысив общую стабильность работы компонентов.
Инженеры SK hynix также добились значительного прогресса в вопросах энергопотребления: энергетическая эффективность памяти HBM4E возросла более чем на 20% по сравнению с решениями предыдущего поколения. Каждый стек, состоящий из 12 ярусов, обладает внушительной емкостью 48 Гбайт.
На текущий момент SK hynix не раскрывает конкретных сроков запуска массового производства HBM4E. Также остается официальной тайной список компаний, получивших первые образцы для тестирования. Тем не менее, эксперты отрасли практически не сомневаются в участии корпорации Nvidia, которая остается крупнейшим потребителем высокоскоростной памяти данного класса и тесно сотрудничает с ведущими разработчиками комплектующих, такими как Sandisk и SK hynix в разработке стандарта сверхскоростной флеш-памяти HBF.
