Исследователи из Токийского университета совместно с экспертами государственного института RIKEN объявили о создании принципиально нового типа памяти. Ученым удалось добиться переключения магнитного состояния антиферромагнетика тримарганец-олово (Mn3Sn) с помощью электрических импульсов длительностью всего 40 пикосекунд. Для сравнения, современные ячейки DRAM требуют около 10 наносекунд для доступа, что делает новую разработку примерно в 250 раз быстрее существующих аналогов.
На сегодняшний день попытки наращивания тактовых частот CPU и GPU упираются в «тепловой барьер» и высокий расход электроэнергии. В новой разработке японские специалисты задействовали эффект спин-орбитального момента (spin-orbit torque). Данный физический механизм позволяет мгновенно менять магнитную ориентацию материала практически без выделения паразитного тепла.
Помимо электрического воздействия, команда продемонстрировала возможность управления записью с помощью сверхкоротких световых импульсов. Используя лазер в связке с фотоэлектрическим преобразователем, исследователи фактически создали прототип ячейки энергонезависимой памяти, работающей на стыке оптики и электроники.
Авторы проекта уверены, что данная технология заложит фундамент для следующего поколения сверхбыстрых вычислительных систем. Внедрение такой памяти особенно актуально для оборудования, где критически важны минимальные задержки отклика и высокая энергоэффективность при интенсивных нагрузках.
