Обзор и технические характеристики Solidigm D5-P5430
Solidigm D5-P5430 представляет собой мейнстрим-сегмент в линейке QLC-накопителей компании для центров обработки данных. Эта модель позиционируется ниже накопителя D5-P5336, ориентированного на максимальную емкость, и отличается использованием меньшего блока косвенной адресации (indirection unit), что позволяет ей эффективнее справляться со смешанными рабочими нагрузками и операциями записи мелкими блоками, с которыми плохо работают накопители с 16-КБ блоком.
На момент дебюта в 2023 году ключевым преимуществом P5430 стал переход с 64-КБ блока косвенной адресации, характерного для серии P5316, на 4-КБ блок. Поступившая в лабораторию модель объемом 30,72 ТБ в форм-факторе E3.S возглавляет семейство с 8-КБ блоком косвенной адресации. Устройство выходит на рынок в условиях изменившейся конкурентной среды: класс QLC-накопителей высокой емкости теперь включает модели на 61 ТБ, 122 ТБ и 245 ТБ, многие из которых работают через интерфейс Gen5. В свою очередь, P5430 использует PCIe 4.0 x4 и в данном тесте представлен в форм-факторе E3.S (7,5 мм), который доступен наряду с U.2 и E1.S.
Производитель заявляет для данной серии скорость последовательного чтения до 7000 МБ/с и последовательной записи до 3000 МБ/с. Показатели случайного доступа составляют до 971 тыс. IOPS на чтение и до 120 тыс. IOPS на запись. Конкретно для модели 30,72 ТБ заявлено 934,5 тыс. IOPS на случайное чтение и ресурс 31,92 ПБ записи (PBW), что соответствует 0,58 DWPD при работе в течение пятилетнего гарантийного срока с нагрузкой, состоящей из 100% случайной записи. Энергопотребление устройства составляет до 25 Вт в активном режиме и 5 Вт в режиме простоя.
Концепция Solidigm для P5430 неизменна: высокая плотность при стоимости QLC и профиле производительности чтения уровня TLC. Накопитель отвечает корпоративным стандартам: 192-слойная 3D QLC NAND под управлением фирменного контроллера и прошивки Solidigm, интерфейс PCIe 4.0 x4 с поддержкой NVMe 1.4c. Также предусмотрены сквозная защита данных с активными ECC и CRC, защита от потери питания, безопасная загрузка, опции TCG Opal 2.0 и FIPS 140-2 Level 2, телеметрия OCP 2.0 и валидация платформ Intel, AMD, Ampere и NVIDIA. Емкость серии варьируется от 3,84 ТБ до 30,72 ТБ в исполнениях U.2 (15 мм) и E3.S (7,5 мм), при этом модели E1.S (9,5 мм) ограничены 15,36 ТБ.
Методология тестирования
В качестве тестовой платформы для всех рабочих нагрузок использовался сервер Dell PowerEdge R760 с ОС Ubuntu 22.04.2 LTS, оснащенный JBOF-корзиной Serial Cables Gen5, обеспечивающей совместимость с накопителями U.2, E1.S, E3.S и M.2. Конфигурация системы включает: 2 процессора Intel Xeon Gold 6430 (32 ядра, 2,1 ГГц), 16 модулей DDR5-4400 по 64 ГБ и системный накопитель Dell BOSS на 480 ГБ.
Для сравнения с Solidigm D5-P5430 (30,72 ТБ, Gen4, E3.S) были выбраны: Solidigm D5-P5336 (61,44 ТБ и 122,88 ТБ, Gen4, U.2), DapuStor J5060 (61,44 ТБ, Gen4, U.2), DapuStor R6060 (122,88 ТБ, Gen5, E3.L), а также накопители Micron: 6550 ION (61,44 ТБ, Gen5, E3.S, TLC) и 6600 ION (245,76 ТБ, Gen5, E3.L). P5430 является наименьшим накопителем в группе и единственным с объемом менее 61 ТБ. Устройства DapuStor R6060, Micron 6600 ION и 6550 ION используют шину Gen5, поэтому P5430 вынужден конкурировать с ними, задействуя вдвое меньшую пропускную способность шины.
Результаты тестов FIO
Измерения проводились с помощью утилиты FIO. Каждый накопитель проходил процедуру предварительной подготовки (запись всего объема дважды последовательной нагрузкой) с последующим замером производительности в установившемся режиме. При смене типа нагрузки процедура подготовки повторялась.
Последовательная запись 128K (IODepth 16 / NumJobs 1)
P5430 продемонстрировал результат 3150,2 МБ/с, превысив заявленные 3000 МБ/с и сравнявшись с Solidigm P5336 122,88 ТБ (3152,5 МБ/с), что является лидерским показателем среди QLC-накопителей Gen4. DapuStor R6060 122,88 ТБ достиг 3920,6 МБ/с, а TLC-накопитель Micron 6550 ION 61,44 ТБ показал 10456,4 МБ/с. Остальные участники остались позади P5430: DapuStor J5060 (2883,1 МБ/с), Micron 6600 ION (2838,0 МБ/с) и P5336 61,44 ТБ (2503,5 МБ/с).
Задержка при последовательной записи 128K (IODepth 16 / NumJobs 1)
Задержка коррелировала с пропускной способностью: P5430 показал 634,5 мкс, что очень близко к результату P5336 122,88 ТБ (634,0 мкс). Быстрее оказались только 6550 ION (191,0 мкс) и R6060 (509,7 мкс). Остальные модели показали более высокие значения задержки: J5060 — 693,3 мкс, 6600 ION — 704,3 мкс и P5336 61,44 ТБ — 798,4 мкс.
Последовательное чтение 128K (IODepth 64 / NumJobs 1)
В тесте последовательного чтения P5430 выдал 7132,1 МБ/с. Это значение практически идентично результатам P5336 61,44 ТБ (7132,3 МБ/с), J5060 (7126,8 МБ/с) и P5336 122,88 ТБ (7121,6 МБ/с), что немного выше паспортного рейтинга в 7000 МБ/с.
Анализ производительности SSD: от последовательных операций до случайного доступа
Последовательное чтение 128K
Все четыре накопителя стандарта Gen4 демонстрируют идентичный предел пропускной способности. В то же время накопители Gen5 значительно превосходят этот показатель: 6550 ION достигает 13 979,7 МБ/с, 6600 ION — 12 729,8 МБ/с, а R6060 — 11 554,0 МБ/с. В тесте задержки при последовательном чтении блоков 128K (IODepth 64 / NumJobs 1) модель P5430 показала результат 1 121,3 мкс, сравнявшись с P5336 61,44 ТБ (1 121,3 мкс) и оказавшись в пределах 2 мкс от показателей J5060 и P5336 122,88 ТБ. Накопители Gen5 завершили тест с результатами от 571,9 мкс (6550 ION) до 692,1 мкс (R6060).
Случайная запись 64K
Модель P5430 начала тест случайной записи 64K со скоростью 2 359,9 МБ/с и 37,8 тыс. IOPS при 1/1, достигла 3 149,9 МБ/с при 2/1, после чего удерживала показатели в диапазоне 3 090,7–3 156,5 МБ/с на остальных 16 этапах. Пиковые значения составили 3 156,5 МБ/с и 50,5 тыс. IOPS при 32/4, а на этапе 32/8 скорость составила 3 149,6 МБ/с. Это соответствует пределу записи в 3,15 ГБ/с, выявленному в тесте 128K.
В этой группе P5336 122,88 ТБ продемонстрировал почти идентичное «плато» в диапазоне 2 429,9–3 182,7 МБ/с, а R6060 после старта на 3 477,9 МБ/с удерживал показатели между 3 913,8 и 3 916,9 МБ/с. J5060 держался около 2 883 МБ/с с двумя просадками до диапазона 2 700 МБ/с, а P5336 61,44 ТБ работал в интервале 2 412,9–2 721,4 МБ/с. Модель 6600 ION показала колебания от 569,1 до 2 999,6 МБ/с, завершив тест на 694,8 МБ/с и 11,1 тыс. IOPS при 32/8. TLC-накопитель 6550 ION выделился в отдельный класс, достигнув 10 413,1 МБ/с.
Задержка случайной записи 64K
Из-за стабильной пропускной способности задержка P5430 масштабировалась линейно относительно объема очереди I/O: от 26,1 мкс при 1/1 до 5 079,3 мкс при 32/8. P5336 122,88 ТБ завершил тест на 5 121,2 мкс, J5060 — на 5 548,9 мкс, P5336 61,44 ТБ — на 6 026,4 мкс, R6060 — на 4 086,6 мкс, а 6550 ION — на 1 588,0 мкс. Для 6600 ION колебания при записи отразились и на задержке, составив 23 020,7 мкс при 32/8.
Случайное чтение 64K
P5430 наращивал показатели от 273,3 МБ/с (4,4 тыс. IOPS) при 1/1 до «стены» Gen4 на уровне 7 124,8 МБ/с и 114,0 тыс. IOPS при 8/8, где и оставался до конца теста. Три других Gen4-накопителя (J5060 и оба P5336) также уперлись в 7 125 МБ/с. Накопители Gen5 значительно превысили этот лимит: R6060 — 13 274,8 МБ/с, 6550 ION — 13 204,6 МБ/с, 6600 ION — 11 946,5 МБ/с.
Задержка случайного чтения 64K
Задержка чтения P5430 при 1/1 составила 228,2 мкс, увеличиваясь до 2 244,9 мкс при 32/8, когда накопитель уперся в лимит пропускной способности. J5060 и оба P5336 завершили тест в пределах 1 мкс от значения 2 245 мкс. Накопители Gen5 показали результаты от 1 204,5 мкс (R6060) до 1 467,8 мкс (6600 ION). При минимальной нагрузке P5430 с показателем 228,2 мкс оказался среди самых медленных, тогда как 6600 ION был самым быстрым (110,3 мкс).
Случайное чтение 4K
Производительность P5430 масштабировалась до пиковых 975,2 тыс. IOPS и 3 809,2 МБ/с при 32/8. Этот результат выше заявленных Solidigm 934,5 тыс. IOPS для модели 30,72 ТБ и превосходит оба P5336 (948,9 тыс. для 61,44 ТБ и 935,8 тыс. для 122,88 ТБ). Для достижения номинальных значений накопителю требуется параллелизм: при одном задании он достиг лишь 130,2 тыс. IOPS при 32/1. Накопители Gen5 и J5060 при 32/8 показали: 6550 ION — 1,797 млн, 6600 ION — 1,727 млн, R6060 — 1,656 млн, J5060 — 1,322 млн IOPS.
Задержка случайного чтения 4K
Задержка P5430 при 4K чтении составила 99,8 мкс при 1/1, возрастая до 261,8 мкс при 32/8 по мере приближения к пределу IOPS. Оба P5336 показали схожую динамику, завершив тест на 268,8 и 272,0 мкс соответственно. Лучший показатель первой выборки у 6600 ION (52,4 мкс), а лучший показатель на верхнем пределе у 6550 ION (141,5 мкс).
Случайная запись 4K
P5430 начал тест с 81,8 тыс. IOPS (11,8 мкс задержки) и достиг пика в 152,5 тыс. IOPS и 595,8 МБ/с при 1/8. После этого накопитель удерживал показатели в диапазоне 111,7–149,7 тыс. IOPS при большинстве комбинаций до 64 операций, за исключением просадки до 84,6 тыс. при 32/1 и финишных значений 88,2 тыс. (16/8), 90,3 тыс. (32/4) и 74,2 тыс. IOPS (32/8).
Производительность при случайной записи 4K и задержки
Компания Solidigm установила для накопителя P5430 показатель производительности на уровне 120 тыс. IOPS. В ходе тестирования модель достигла этого значения в девяти из 18 контрольных точек при глубине очереди от четырех до 32 незавершенных операций ввода-вывода. При 64 запросах результат оказался в пределах 7% от заявленного, однако на двух глубоких уровнях очереди производительность упала на 25–38% ниже норматива.
Среди других QLC-накопителей показатели распределились следующим образом: модель 6600 ION достигла пика в 113,8 тыс. IOPS, но демонстрировала колебания от 41 тыс. до 114 тыс. IOPS, завершив тест на отметке 41,4 тыс. IOPS. Модель R6060 показала пик 51,2 тыс. IOPS и закончила на 30,8 тыс. IOPS, а P5336 объемом 122,88 ТБ достигла 45,5 тыс. IOPS и завершила тест на 25,9 тыс. IOPS. Единственным устройством в этом диапазоне стал TLC-накопитель 6550 ION с пиковым значением 116,2 тыс. IOPS и 95,5 тыс. IOPS при нагрузке 32/8. Модели J5060 и P5336 на 61,44 ТБ отсутствуют в данных, так как не завершили тест случайной записи 4K при первоначальном запуске группы.
Что касается задержки при случайной записи 4K, показатели составили: 11,8 мкс (при 1/1), 19,2 мкс (при 2/1), 29,3 мкс (при 1/4), 51,8 мкс (при 1/8) и от 106 до 126 мкс при 16 запросах. С ростом глубины очереди показатели увеличились до 255–378 мкс при 32 запросах, 558–572 мкс при 64, 1416–1450 мкс при 128, достигнув 3449,4 мкс при 32/8. Для сравнения: финальный результат 6550 ION составил 2676,6 мкс, 6600 ION — 6141,0 мкс, R6060 — 8295,3 мкс, а P5336 (122,88 ТБ) — 9859,8 мкс.
GPU Direct Storage
Одним из ключевых этапов тестирования стала работа с технологией NVIDIA Magnum IO GPU Direct Storage (GDS). GDS позволяет графическим процессорам обращаться к данным на NVMe-накопителях и других скоростных устройствах в обход центрального процессора. За счет исключения промежуточного этапа хранения данных в системной памяти сокращается задержка и повышается пропускная способность. В традиционной схеме при обработке данных GPU вынужден ждать прохождения запросов через CPU и оперативную память, что создает «узкие места» и потребляет ресурсы. Технология GDS обеспечивает прямое соединение через шину PCIe, что критически важно для рабочих нагрузок ИИ, требующих потоковой передачи терабайтов данных, чтобы избежать простоев графических процессоров.
Пропускная способность при последовательном чтении (GDSIO)
Кривая чтения P5430 демонстрирует характерную для QLC-контроллеров Solidigm динамику: неравномерность при размере блока 16К с последующим стабильным ростом по мере увеличения размера передачи. При блоке 16К на одном потоке скорость составила 537 МБ/с, снизившись до 166 МБ/с на четырех потоках и 179 МБ/с на восьми, после чего восстановилась до 345 МБ/с (16 потоков), 501 МБ/с (32 потока) и 808 МБ/с (64 потока), достигнув 1,1 ГБ/с на 128 потоках. Этот спад и восстановление на малых блоках повторяют поведение моделей P5336 и DapuStor, оставляя P5430 в середине группы, значительно позади Micron 6600 ION (1,9 ГБ/с), но на уровне 6550 ION.
На блоках 128К показатели P5430 варьировались от 290 МБ/с (один поток) до 2,3 ГБ/с (128 потоков). Результаты практически идентичны P5336 на 122,88 ТБ и сопоставимы с 6550 ION, однако накопители стандарта Gen5 вырвались вперед: 6600 ION достиг 5,3 ГБ/с, R6060 — 4,9 ГБ/с, J5060 — 3,8 ГБ/с, а P5336 на 61,44 ТБ — 2,8 ГБ/с.
Результаты на блоках 1М демонстрируют предел интерфейса Gen4 у накопителя P5430. Стартовав с 1,0 ГБ/с, скорость достигла 3,8 ГБ/с на 16 потоках и оставалась на этом уровне до 128 потоков. P5430 оказался в одной группе с Gen4-накопителями: P5336 (122,88 ТБ) — 4,1 ГБ/с, P5336 (61,44 ТБ) и J5060 — 4,3 ГБ/с. Лидеры на базе Gen5, R6060 и 6600 ION, достигли 5,9 ГБ/с, в то время как 6550 ION показал 2,6 ГБ/с. В целом, при потоковом чтении крупных блоков P5430 выдает около 90% производительности крупных Gen4 QLC-моделей и примерно две трети показателей лидеров Gen5.
IOPS при последовательном чтении (GDSIO)
Пиковое значение IOPS для P5430 при нагрузке 16К на 128 потоках составило 74,8 тыс. Это четвертый результат в группе: он уступает 6600 ION (130,4 тыс.), P5336 61,44 ТБ (93,3 тыс.) и P5336 122,88 ТБ (83,0 тыс.), но опережает R6060 (62,6 тыс.), 6550 ION (62,1 тыс.) и J5060 (54,7 тыс.). Кривые 128К и 1М повторяют графики пропускной способности, выравниваясь на значениях около 19 тыс. IOPS для 128К и 3,8 тыс. IOPS для 1М после насыщения канала Gen4.
Задержка при последовательном чтении (GDSIO)
На начальном этапе тестирования задержка P5430 при чтении 16К в одном потоке составила 27,8 мкс. Этот показатель лучше, чем у P5336 61,44 ТБ (28,4 мкс), но выше, чем у накопителей DapuStor: 20,2 мкс для J5060 и 22,1 мкс для R6060.
Анализ производительности и задержек накопителей
В ходе тестов 6600 ION показал результат задержки на уровне 38,6 мкс. Два накопителя, которые испытывали трудности при QD1 — это P5336 объемом 122,88 ТБ (82,1 мкс) и 6550 ION (90,9 мкс). Оба они имеют штраф за первое обращение, которого нет у P5430.
По мере роста количества потоков задержка увеличивалась вместе с глубиной очереди, что характерно для всех накопителей в данной группе. При нагрузке 1 М и 128 потоках P5430 достиг показателя около 33 мс. Это выше результатов Gen5-накопителей (21 мс), но лучше, чем у 6550 ION (48 мс), и находится на одном уровне с двумя моделями P5336.
Пропускная способность GDSIO при последовательной записи
При нагрузке 1 М накопитель P5430 показал скорость записи 2,9 ГБ/с на одном потоке, 3,0 ГБ/с на четырех потоках, 2,9 ГБ/с в диапазоне от восьми до 32 потоков и 2,7 ГБ/с на 64 и 128 потоках. Это соответствует заявленному рейтингу накопителя в 3000 МБ/с (примерно 2,8 ГБ/с) или превышает его при использовании от одного до 32 потоков, с падением пиковой производительности примерно на 10% при 128 потоках.
P5430 занял четвертое место в группе при нагрузке 1 М, уступив R6060 (3,8 ГБ/с), 6550 ION (пик 3,9 ГБ/с на 32 потоках) и P5336 на 61,44 ТБ (3,2 ГБ/с), но опередив 6600 ION (2,95 ГБ/с), J5060 (2,8 ГБ/с) и P5336 на 122,88 ТБ (2,86 ГБ/с).
При блоках 128 К скорость P5430 выросла с 1,7 ГБ/с на одном потоке до 2,8 ГБ/с на четырех и 2,9 ГБ/с на восьми и 16 потоках, после чего снизилась до 2,1 ГБ/с при 32, 1,7 ГБ/с при 64 и 1,7 ГБ/с при 128 потоках. Модель P5336 122,88 ТБ продемонстрировала аналогичное снижение при более низкой базе (от 2,8 ГБ/с на восьми потоках до 2,1 ГБ/с на 128), а P5336 61,44 ТБ замедлилась с 3,2 ГБ/с до 2,4 ГБ/с. Таким образом, падение скорости под глубокими очередями записи 128 К является общей чертой семейства Solidigm QLC.
DapuStor R6060 и Micron 6550 ION удерживали показатели 3,7–3,8 ГБ/с при 64 потоках на блоках 128 К, а J5060 демонстрировал стабильные 2,8 ГБ/с на всем протяжении теста. На блоках 16 К скорость P5430 варьировалась от 582 МБ/с до 1,3 ГБ/с, находясь в том же диапазоне, что и у всех остальных участников, кроме P5336 122,88 ТБ, которая ни разу не превысила 0,8 ГБ/с.
IOPS и задержка последовательной записи
Пиковый показатель IOPS при последовательной записи блоками 16 К для P5430 составил 88,2 тыс. на 16 потоках, что обеспечило шестое место в группе. Пять других накопителей показали результат от 94 тыс. до 100 тыс.: 6550 ION (100,0 тыс.), R6060 (98,4 тыс.), 6600 ION (98,0 тыс.), P5336 61,44 ТБ (94,4 тыс.) и J5060 (89,0 тыс.). Единственным накопителем, результат которого значительно ниже, стал P5336 122,88 ТБ (53,3 тыс.). Разрыв между лидером 6550 ION и P5430 составляет 12% при условии, что остальные накопители обладают емкостью в два-восемь раз больше.
Задержка записи 16 К в однопоточном режиме составила 26,0 мкс для P5430, что уступает лишь R6060 (21,9 мкс) и равно результату P5336 61,44 ТБ. Остальные показатели: J5060 — 26,9 мкс, 6600 ION — 30,6 мкс, 6550 ION — 30,7 мкс, P5336 122,88 ТБ — 31,2 мкс. P5430 сохранял эти позиции при легких и средних нагрузках 16 К и 128 К.
В тяжелых сценариях P5430 показал иные результаты: при 128 К и 128 потоках задержка 9,4 мс стала самой высокой в группе из-за снижения пропускной способности. При 1 М и 128 потоках задержка достигла 47 мс, расположившись между 6600 ION (54 мс) и P5336 122,88 ТБ (50 мс) с одной стороны, и J5060, R6060, P5336 61,44 ТБ и 6550 ION (39–45 мс) — с другой.
Бенчмарк контрольных точек DLIO
Для оценки работы SSD в средах обучения ИИ использовался инструмент DLIO (Data and Learning Input/Output), разработанный Аргоннской национальной лабораторией для анализа паттернов ввода-вывода в глубоком обучении. Тест помогает оценить, как системы хранения справляются с созданием контрольных точек (checkpointing), приемом данных и обучением моделей. Создание контрольных точек критически важно для сохранения состояния модели и предотвращения потери прогресса при сбоях.
Использовалась версия DLIO 2.0 (релиз от 13 августа 2024 года). Сценарий основан на архитектуре модели LLAMA 3.1 405B с использованием torch.save() для параметров, состояний оптимизатора и уровней. Настройка имитировала систему с восемью GPU, используя гибридную стратегию параллелизма (4-сторонний тензорный и 2-сторонний конвейерный параллелизм), что привело к размеру контрольной точки в 1636 ГБ.
Вместимость контрольных точек: P5430 (30,72 ТБ) — 15 точек за проход, накопители 61,44 ТБ — 33 точки, P5336 122,88 ТБ — 66 точек, R6060 — 68 точек, 6600 ION — 130 точек (J5060 не участвовал). Среднее время записи одной точки в первом проходе: P5430 — 526,03 секунды. Он занял третье место после R6060 (самый быстрый результат) и 6550 ION (484,30 секунды).
Результаты тестирования накопителей в DLIO
В первом проходе тестирования накопитель P5430 завершил работу с результатом 530,75 секунды, опередив модель P5336 емкостью 122,88 ТБ. Следом за ними расположились 6600 ION (580,98 секунды) и P5336 емкостью 61,44 ТБ (662,68 секунды). При размере контрольной точки в 1636 ГБ первый проход P5430 обеспечил скорость примерно 3,1 ГБ/с, что близко к предельному показателю записи в 3150 МБ/с, зафиксированному в FIO.
Во втором проходе, когда все диски были уже заполнены данными, среднее время P5430 увеличилось на 27% до 666,85 секунды. В этой группе R6060 показал самый медленный результат, почти удвоив свое время первого прохода. Показатели других накопителей изменились следующим образом: 6600 ION продемонстрировал рост на 60% (926,70 секунды), P5336 122,88 ТБ — на 41% (746,14 секунды), а 6550 ION — на 18% (570,23 секунды). Модель P5336 61,44 ТБ, напротив, показала небольшое ускорение, достигнув 640,71 секунды.
Средние значения третьего прохода для всех накопителей отклонились менее чем на 5% от результатов второго прохода. P5430 завершил работу с показателем 677,89 секунды, что на 1,7% выше предыдущего результата, и снова занял третье место после 6550 ION (585,03 секунды) и P5336 61,44 ТБ (639,63 секунды). Это примерно на 10% меньше времени на одну контрольную точку по сравнению с P5336 122,88 ТБ (757,31 секунды) и примерно на 30% меньше, чем у R6060 (965,27 секунды) и 6600 ION (968 секунд).
Стабильность производительности и паттерны нагрузки
После первой контрольной точки длительностью 501,2 секунды, время записи P5430 в первом проходе для остальных 14 точек варьировалось в узком диапазоне от 526,2 до 528,4 секунды (разброс 2,2 секунды). У ближайшего конкурента — P5336 122,88 ТБ — этот показатель колебался от 520,3 до 548,6 секунды. На этапе с 16-й по 45-ю контрольную точку P5430 работал в более широком диапазоне (от 601,4 до 713,6 секунды), при этом значительного скачка производительности между вторым и третьим проходами не наблюдалось.
P5336 122,88 ТБ следовал аналогичной двухуровневой модели, показав значения от 661 до 848 секунд после первого прохода. R6060 и 6600 ION завершили свои циклы в диапазоне от 878 до 1034 секунд.
Итоговая оценка Solidigm D5-P5430
Solidigm D5-P5430 емкостью 30,72 ТБ — это решение трехлетней давности на интерфейсе Gen4, и результаты GDSIO доказывают, что для своего класса устройство сохранило актуальность. При чтении крупными блоками с использованием GPU-direct накопитель показал 3,8 ГИБ/с при блоке 1 МБ (около 90% от возможностей Gen4 QLC-дисков емкостью 61 ТБ и 122 ТБ и около двух третей от показателей Gen5-накопителей R6060 и 6600 ION). В операциях записи диск удерживал показатели на уровне или выше заявленных 3000 МБ/с при нагрузке от одного до 32 потоков, с 10-процентным снижением при 128 потоках. Его пиковая скорость 3,0 ГИБ/с превзошла результаты 6600 ION, J5060 и P5336 122,88 ТБ.
Задержка при однопоточном чтении составила 27,8 мкс, при записи — 26,0 мкс, что позволило диску войти в тройку лидеров по обоим параметрам. IOPS при записи блоков 16К оказались в пределах 12% от показателей дисков, чья емкость в два-восемь раз выше.
Отставание наблюдалось там, где оно ожидаемо для накопителя Gen4: на операциях чтения 128К и 1М, где доминировали решения Gen5, а также при записи блоков 128К с глубокой очередью, где скорость снижалась до 1,7 ГИБ/с, как и у моделей линейки P5336. В тестах FIO накопитель P5430 работал на пределе возможностей интерфейса Gen4 при операциях чтения: 7132,1 МБ/с для последовательного чтения 128К, 7125 МБ/с для случайного чтения 64К и 975,2 тыс. IOPS для случайного чтения 4К. При записи диска фиксировалась стабильная скорость 3150 МБ/с для последовательного чтения 128К и случайного чтения 64К без падения производительности при любой глубине очереди.
Результаты случайной записи блоков 4К выделяют модель на фоне конкурентов: пиковое значение 152,5 тыс. IOPS и не менее 111,7 тыс. IOPS при любых комбинациях до 64 запросов (за одним исключением). Для сравнения: у двух QLC-дисков емкостью 122 ТБ пики составили 45,5 тыс. и 51,2 тыс. IOPS, а у 6600 ION показатель варьировался от 41 тыс. до 114 тыс. IOPS. P5430 использует блок косвенной адресации (indirection unit) размером 8 КБ, в то время как P5336 и 6600 ION — 16 КБ.
В задачах контрольных точек DLIO накопитель P5430 в первом проходе обеспечил запись около 3,1 ГБ/с, а к третьему проходу стабилизировался на уровне 677,89 секунды на контрольную точку (1636 ГБ). Он занял третье место в группе, уступив только TLC-накопителю 6550 ION и P5336 61,44 ТБ, но затрачивая на 10% меньше времени, чем P5336 122,88 ТБ, и на 30% меньше, чем R6060 и 6600 ION. Хотя диски емкостью 122 ТБ и 245 ТБ вмещают в 4–9 раз больше контрольных точек, их запись после первого прохода занимала больше времени.
Несмотря на поздний обзор, P5430 в 2026 году остается востребованным QLC-решением для задач, на которые и рассчитывала Solidigm: работа с контентом и объектными хранилищами, «теплые» озера данных, питающие GPU большими блоками, а также виртуализированные или смешанные нагрузки, где 16-КБ блок адресации P5336 не является оптимальным.
Основной аргумент против него — общие особенности Gen4 QLC: при сборке новых систем на базе Gen5 покупатели получают на 62–96% больше пропускной способности при последовательном чтении 128К и в 2–8 раз большую емкость на слот. Для всех остальных сценариев P5430 остается рациональным выбором на 30 ТБ с высокой выносливостью, энергоэффективностью и производительностью на мелких блоках, в чем более емкие QLC-диски уступают.
