Технология создания многослойной памяти типа NAND была предложена японской корпорацией Toshiba ещё в 2007 году. Однако в современных рыночных реалиях её преемнице, компании Kioxia, становится всё труднее конкурировать с лидерами отрасли. Чтобы сократить отставание, производитель решил использовать не стандартную «гонку слоёв», а собственную инновационную технологию соединения кремниевых пластин.
На сегодняшний день большая часть выпускаемых Kioxia модулей 3D NAND всё ещё базируется на 218 слоях. В то же время ключевые конкуренты уже преодолели отметку в 300 слоёв и активно стремятся к 400-слойным решениям. В ответ на это японцы представили технологию CBA (CMOS-Direct-Bond-to-Array), которая позволяет кратно увеличить плотность хранения данных, не прибегая к наращиванию количества слоёв на одной пластине.
Как отмечает издание Nikkei Asian Review, ранее логика управления микросхемой NAND всегда размещалась на той же подложке, где находились и ячейки памяти. Технология CBA кардинально меняет этот подход: управляющая логика выносится на отдельную кремниевую пластину, которая затем соединяется с массивом ячеек памяти. Более того, такая архитектура позволяет «штабелировать» несколько кремниевых пластин с ячейками памяти, что значительно повышает общую плотность записи.
Ключевым вызовом при таком производстве является необходимость прецизионной точности при позиционировании соединяемых пластин. В этом аспекте Kioxia удалось обойти конкурентов: по оценкам независимых экспертов, скорость чтения и записи в накопителях, созданных по данной технологии, выше аналогов на 20–30%. В настоящее время Kioxia уже применяет CBA в производстве своих флагманских решений.
Тем не менее, японская компания пока удерживает лишь третью позицию на мировом рынке твердотельной памяти, заметно уступая южнокорейским гигантам. В частности, присутствие Kioxia в сегменте корпоративных серверных решений остаётся ограниченным. Возможно, внедрение передовой технологии плотности записи поможет компании отвоевать долю рынка, особенно на фоне разработки новых стандартов, таких как сверхскоростная флеш-память HBF, о которой сообщалось ранее.
