Компания Silicon Motion представила SSD-контроллер SM2524XT, лишенный встроенного DRAM-кэша. Решение поддерживает современный стандарт PCIe 5.0 и было спроектировано специально для оптимизации задач логического вывода (inference) и работы с KV-кэшированием.
Архитектура контроллера SM2524XT базируется на четырех вычислительных ядрах и использует интерфейс PCIe Gen 5×4. Устройство поддерживает работу с интерфейсом NAND на скоростях до 4800 МТ/с. По заявлению производителя, такие характеристики позволяют накопителям на базе данного чипа достигать скорости последовательного чтения до 14 Гбайт/с, а производительность при произвольных операциях достигает 2,5 млн IOPS.
Чип производится по нормам 6-нм техпроцесса TSMC. Благодаря переходу на более тонкие нормы, SM2524XT демонстрирует 25-процентный прирост энергоэффективности и аналогичное увеличение производительности при случайном доступе по сравнению с предыдущим поколением контроллеров компании.
Оптимизация под ИИ-нагрузки
В Silicon Motion отмечают, что KV-кэширование стало критически важным элементом для быстродействия нейросетей. По мере усложнения персональных компьютеров с искусственным интеллектом, растет потребность в запуске локальных агентов и объемных языковых моделей. Новый контроллер призван обеспечить низкие задержки и стабильную пропускную способность, необходимые для подобных сценариев.
В отличие от классических потребительских SSD, задачи, связанные с ИИ, создают потоки сильно фрагментированных операций, крайне чувствительных к задержкам. Контроллер SM2524XT адаптирован именно под такие шаблоны нагрузки, что гарантирует стабильность ввода-вывода даже при интенсивных вычислениях.
Технологические особенности
Для достижения высокой эффективности обработки данных в контроллер были интегрированы фирменные разработки компании:
- Технология Separated Command Address (SCA) для оптимизации очереди команд.
- Усовершенствованная система планирования FTL (Flash Translation Layer).
- Технология NANDXtend LDPC ECC, которая отвечает за коррекцию ошибок и поддерживает высокую производительность накопителя даже при длительных и тяжелых нагрузках.
